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[发明专利]形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法-CN202110393910.0有效
发明人： R·埃斯特夫;T·艾钦格;W·伯格纳;D·屈克;D·彼得斯;R·西明耶科 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。
形成具有屏蔽栅极碳化硅器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201910186229.1有效
发明人： R·西明耶科;W·伯格纳;R·埃斯特夫;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。公开了一种半导体器件及其生产方法。该半导体器件包括半导体本体、和集成在该半导体本体中的至少一个器件单元(101、102)。该至少一个器件单元包括：漂移区域(11)、源极区域(12)和布置在源极区域(12)与漂移区域(11)之间的本体区域(13)；二极管区域(30)和在二极管区域(30)与漂移区域(11)之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁(1101)、与第一侧壁相对的第二侧壁(1102)、和底部(1103)；其中本体区域(13)与第一侧壁(1101)邻接，二极管区域(30)与第二侧壁(1102)邻接，并且pn结与沟槽的底部(1103)邻接；栅极电极(21)，布置在沟槽中，并且通过栅极电介质(22)与本体区域(13)、二极管区域(30)和漂移区域(11)介电绝缘；其中二极管区域(30)包括布置在沟槽的底部(1103)下方的下二极管区域；并且其中下二极管区域包括与沟槽的底部(1103)远离的掺杂浓度最大值。
半导体器件

[发明专利]用于形成超结器件的漂移区的方法-CN202210758197.X在审
发明人： M·黑尔;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了用于形成超结器件的漂移区的方法和一种超结器件。一种形成包括半导体层的至少一个漂移区区段的方法，所述半导体层具有第一掺杂类型的第一区和第二掺杂类型的第二区，其中所述第一区和所述第二区是在所述半导体层的第一横向方向上交替布置的。形成所述至少一个漂移区区段包括：在所述半导体层的第一表面顶上形成注入掩模，其中所述注入掩模包括均在所述第一横向方向上具有第一宽度的第一开口；在第一注入工艺中，通过所述第一开口将所述第一掺杂类型的掺杂剂原子注入到所述第一表面中；增大所述第一开口的大小，以获得在横向方向上具有第二宽度的第二开口；在第二注入工艺中，通过所述第二开口将所述第二掺杂类型的掺杂剂原子注入到所述第一表面中；移除所述注入掩模；以及在移除所述注入掩模之后，在第三注入工艺中，将所述第一掺杂类型的掺杂剂原子注入到所述第一表面中。
用于形成器件漂移方法

[发明专利]具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件-CN202011051349.X有效
发明人： M·黑尔;R·埃尔佩尔特;C·莱恩德茨;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件。一种半导体器件的SiC衬底，包括：第一导电类型的漂移区；具有与SiC衬底的第一表面邻接的沟道区的第二导电类型的本体区；与沟道区的第一端部邻接的第一导电类型的源极区；在本体区的与源极区相对的一侧处并且竖向地延伸到漂移区的第一导电类型的延伸区；在本体区下方并且具有朝向第一表面延伸并且与延伸区邻接的拖尾的第二导电类型的掩埋区；以及第一导电类型的补偿区，其沿着第一表面从延伸区突出到本体区中并且终止于沟道区的与第一端部相对的第二端部处。
具有注入补偿碳化硅器件

[发明专利]更新用于人工智能的训练示例-CN202080094068.4在审
发明人： J·S·克里希穆尔蒂;D·彼得斯;J·J·克劳斯曼 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F16/33 文献下载
摘要：公开了用于将先前注释的训练示例调整为用于训练机器学习模型的经更新的训练示例的技术。一个示例包括一种计算机程序，其识别查找表达、替换表达和过滤约束，其中，所述过滤约束将先前注释的训练示例的子集与先前注释的训练示例中的其他训练示例区分开来。基于所述过滤约束，由所述计算机程序在所述先前注释的训练示例中识别出的所述先前注释的训练示例的子集内识别查找表达的实例。由计算机程序利用替换表达的实例替换在所述先前注释的训练示例的子集内识别出的查找表达的实例，以获得训练示例的经更新的子集。由计算机程序输出训练示例的经更新的子集，其可以被用于训练所述机器学习模型。
更新用于人工智能训练示例

[发明专利]用于组合治疗的化合物-CN202080056000.7在审
发明人： U·西蒙森;S·科默玛-斯蒂芬森;D·彼得斯 -专利权人：创始人制药股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： A61K31/46 文献下载
摘要：本发明涉及用于治疗涉及抑郁症、勃起功能障碍、焦虑症、性功能障碍和/或射精障碍或其组合的疾病或病症的化合物。
用于组合治疗化合物

[发明专利]具有条形形状的栅极电极和源极金属化的碳化硅器件-CN202111093175.8在审
发明人： R·西门尼克;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了具有条形形状的栅极电极和源极金属化的碳化硅器件。碳化硅器件(500)包括碳化硅本体(100)。碳化硅本体(100)包括中心区(610)和围绕中心区(610)的外周区(690)。中心区(610)包括第一导电类型的源极区(110)。外周区(690)包括第二导电类型的掺杂区(120)。条形形状的栅极电极(155)延伸通过中心区(610)并且进入到外周区(690)中。连续的源极金属化(310)被形成在中心区(610)上和外周区(690)的内部部分上。源极金属化(310)和源极区(110)在中心区(610)中形成第一欧姆接触。源极金属化(310)和掺杂区(120)在外周区(690)中形成第二欧姆接触。
具有条形形状栅极电极金属化碳化硅器件

[发明专利]半导体器件中的失效结构-CN202011354490.7在审
发明人： T·巴斯勒;A·许尔纳;C·莱恩德茨;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：公开了半导体器件中的失效结构。提供了一种半导体器件。在实施例中，半导体器件包括控制区、第一电力区、第二电力区、隔离区和/或短路结构。控制区包括控制端子。第一电力区包括第一电力端子。第二电力区包括第二电力端子。隔离区在控制区和第一电力区之间。短路结构从第一电力区延伸通过隔离区到达控制区。短路结构被配置为在半导体器件的失效状态期间在控制区和第一电力区之间形成低电阻连接。
半导体器件中的失效结构

[发明专利]形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法-CN201510917326.5有效
发明人： R·埃斯特夫;T·艾钦格;W·伯格纳;D·屈克;D·彼得斯;R·西明耶科 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。
形成具有屏蔽栅极碳化硅器件方法

[发明专利]具有沟槽栅极的碳化硅器件-CN202010817408.3在审
发明人： C·莱恩德茨;T·巴斯勒;P·埃林豪斯;R·埃佩尔特;M·黑尔;J·P·孔拉特;S·牛;D·彼得斯;K·施拉姆尔;B·齐佩留斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括从第一表面（101）延伸到碳化硅本体（100）中的条形沟槽栅极结构（150）。栅极结构（150）具有沿着横向第一方向（291）的栅极长度（L0）。栅极结构（150）的底表面（158）和有源第一栅极侧壁（151）经由栅极结构（150）的第一底部边缘（156）连接。碳化硅器件（500）还包括第一导电类型的至少一个源极区（110）。第二导电类型的屏蔽区（160）跨栅极长度的至少20%与栅极结构（150）的第一底部边缘（156）接触。
具有沟槽栅极碳化硅器件

[发明专利]功率半导体器件和方法-CN202010758116.7在审
发明人： J·舍茨;D·彼得斯;S·平德尔;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：功率半导体器件和方法。一种功率半导体器件（1），包括：半导体本体（10），其具有前侧（10‑1）和后侧（10‑2）并且被配置用于在前侧（10‑1）和后侧（10‑2）之间传导负载电流；以及多个控制单元（14），其被配置用于控制负载电流，每个控制单元（14）在前侧（10‑1）处至少部分地被包括在半导体本体（10）中并且包括借助于栅极绝缘层（144）与半导体本体（10）电绝缘的栅电极（143），其中栅极绝缘层（144）是或者包括第一氮化硼层（1443）。
功率半导体器件方法

[发明专利]具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件-CN201710368872.7有效
发明人： R·西明耶科;T·艾钦格;W·伯格纳;R·埃斯特夫;K·费尔德拉普;D·屈克;D·彼得斯;R·拉普;C·施特伦格;B·齐佩利乌斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括从第一表面延伸至由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构将半导体本体的台面部分彼此分离。在台面部分中，本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁。台面部分中源极区域与本体区域形成第二pn结，其中本体区域分离所述源极区域与所述漏极结构。源极区域直接地邻接第一台面侧壁以及与第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。
具有沟槽栅极结构宽带半导体器件

[发明专利]为机器人车辆提供稳定驱动系统的设备、系统和方法-CN201980029098.4在审
发明人： D·彼得斯;J·盖恩 -专利权人：捷普有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：一种能够为机器人车辆提供稳定驱动系统的设备、系统和方法。该设备、系统和方法可至少包括机器人本体基座；机器人本体基座内的至少两个驱动轮；处理系统，所述处理系统具有与其相关联的非暂时性计算代码，所述非暂时性计算代码在由所述处理系统执行时致使至少两个驱动轮被驱动；以及多个位于机器人本体基座内的球形脚轮，其中，球形脚轮相对于机器人基座和至少两个驱动轮定位，以降低机器人的重心并提供驱动的稳定性。
机器人车辆提供稳定驱动系统设备方法

[发明专利]包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件-CN201710131889.0有效
发明人： R·西明耶科;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件。一种半导体器件(500)包括在得自碳化硅的半导体部分(100)中的晶体管单元(TC)，其中晶体管单元(TC)电连接到栅极金属化部(330)、源电极(310)和漏电极(320)。半导体器件(500)还包括在半导体部分(100)中的掺杂区域(180)。掺杂区域(180)电连接到源电极(310)。掺杂区域(180)的电阻具有负的温度系数。层间电介质(210)将栅极金属化部(330)与掺杂区域(180)分离。半导体部分(100)中的漏极结构(120)将晶体管单元(TC)与漏电极(320)电连接，并且与掺杂区域(180)形成pn结(pnx)。
包括晶体管单元补偿结构宽带半导体器件

[发明专利]用于产生模拟笔画且用于模拟笔画的数字存储的电子装置和用于使模拟记录数字化的输入系统及方法-CN201880041620.6在审
发明人： M·魏德勒;A·弗赖贝特;A·兰普;D·彼得斯;J·P·格罗斯 -专利权人：斯达德勒火星两合公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子装置，特别是，涉及一种用于产生模拟笔画、特别是笔迹且用于数字存储模拟笔画的电子触控笔，其中，所述装置包括用于在记录介质、特别是纸上创建模拟记录的书写、绘图和/或绘画装置的组件，其中，所述装置包括用于将所述装置扩展为数字书写和/或输入装置的电子组件和软件，其特征在于，所述装置包括至少一个定位单元、特别是相机，通过所述定位单元，生成所述装置与记录介质之间的定位；所述装置具有至少一个运动检测单元；通过所述运动检测单元，数字地检测在记录介质上所述装置的运动以及随之产生的模拟记录；运动检测单元被设计为激光追踪器(“激光光斑运动追踪器”)。
运动检测单元定位单元笔画电子装置电子组件绘画装置激光光斑激光追踪输入装置数字存储数字书写运动追踪触控笔数字地绘图记录笔迹相机书写检测创建

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