[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件有效
申请号: | 201821124764.1 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN208336240U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 张伟;翟金叶;沈艳娇;王子谦;郎芳;李锋;史金超 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型适用于光伏发电技术领域,提供了一种太阳能电池及太阳能电池组件。太阳能电池包括:衬底;所述衬底的正面设有前场,所述衬底的背面设有发射极;所述前场的上表面设有第一隧穿氧化层,所述第一隧穿氧化层与正面栅线对应区域的表面设有第一多晶硅层;所述第一隧穿氧化层与吸光区对应区域的表面设有第一减反膜,所述第一多晶硅层的表面设有正面栅线;所述发射极表面设有第二隧穿氧化层;所述第二隧穿氧化层的表面设有第二多晶硅层;所述第二多晶硅层的表面设有背面栅线,所述第二多晶硅层中除与背面栅线对应区域的表面设有第二减反膜。本实用新型能够提高太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 隧穿氧化层 多晶硅层 太阳能电池 衬底 太阳能电池组件 本实用新型 背面栅线 正面栅线 发射极表面 光伏发电 发射极 上表面 吸光区 背面 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:衬底;所述衬底的正面设有前场,所述衬底的背面设有发射极;所述前场的上表面设有第一隧穿氧化层,所述第一隧穿氧化层与正面栅线对应区域的表面设有第一多晶硅层;所述第一隧穿氧化层与吸光区对应区域的表面设有第一减反膜,所述第一多晶硅层的表面设有正面栅线;所述发射极表面设有第二隧穿氧化层;所述第二隧穿氧化层的表面设有第二多晶硅层;所述第二多晶硅层的表面设有背面栅线,所述第二多晶硅层中除与背面栅线对应区域以外的区域的表面设有第二减反膜;其中,所述吸光区为所述衬底的正面中除与所述正面栅线对应区域以外的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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