[发明专利]将单晶直径控制为给定直径的方法在审
| 申请号： | 201410249799.8 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104233456A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | T·施罗克 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在由熔体提拉单晶期间将单晶直径控制为给定直径的方法，该熔体包含在坩埚中并且在单晶边缘的相界处形成弯月面，其中所述弯月面的高度对应于在相界与弯月面之外的熔体表面水平之间的距离，所述方法包括重复地实施以下步骤：确定弯月面上的亮环的直径；在考虑亮环直径及考虑亮环直径与弯月面高度及与单晶直径本身的相关性的情况下计算单晶直径；及基于所计算的单晶直径与单晶的给定直径之差计算至少一个用于控制单晶直径的操纵变量。 | ||
| 搜索关键词： | 将单晶 直径 控制 给定 方法 | ||
【主权项】：
在由熔体提拉单晶期间将单晶直径控制为给定直径的方法，该熔体包含在坩埚中并且在单晶边缘的相界处形成弯月面，其中所述弯月面的高度对应于在相界与弯月面之外的熔体表面水平之间的距离，所述方法包括重复地实施以下步骤：确定弯月面上的亮环的直径；在考虑亮环直径及考虑亮环直径与弯月面高度及与单晶直径本身的相关性的情况下计算单晶直径；及基于所计算的单晶直径与单晶的给定直径之差计算至少一个用于控制单晶直径的操纵变量。
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