[发明专利]耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811546910.4 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110350033B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李熙哲;盧永卓 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 许振强;杜正国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管(3‑dimensional MOSFET)，为了使总剂量效应的影响和单粒子效应的影响最小化，提出选择性地追加虚拟漏极(Dummy Drain；DD)、N阱层(N‑well layer；NW)、深N阱层(Deep N‑well layer；DNW)及P+层(P+layer)中的至少一种的耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 三维 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管，用于减少由单粒子效应引起的电流脉冲的影响及总剂量的影响，其特征在于，包括：栅极；源极及漏极；以及虚拟漏极，以与上述源极及漏极相连接的方式位于上述耐辐射线三维金属氧化物半导体场效应晶体管的鳍式结构上，能够施加电压，用于分散由单粒子效应的影响引起的电流脉冲。
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