[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201811546768.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109860118B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 邓永 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/34;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：在衬底基板上依次形成有源层、栅绝缘层以及栅极金属层，并对所述栅极金属层以及所述栅绝缘层进行图案化，形成栅极以及对应所述栅极的栅绝缘层图案；然后对所述有源层进行导体化处理，在所述有源层对应所述栅极部分的两侧形成欧姆接触区；再在所述栅极上制备金属保护层并进行图案化，形成对应所述栅极的栅极保护图案，以及对应所述欧姆接触区的欧姆接触区保护图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，在衬底基板上依次形成有源层、栅绝缘层以及栅极金属层，并对所述栅极金属层以及所述栅绝缘层进行图案化，形成栅极以及对应所述栅极的栅绝缘层图案；步骤S20，对所述有源层进行导体化处理，在所述有源层对应所述栅极部分的两侧形成欧姆接触区；步骤S30，在所述栅极上制备金属保护层并进行图案化，形成对应所述栅极的栅极保护图案，以及对应所述欧姆接触区的欧姆接触区保护图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811546768.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于减小晶体管间隔的切割金属栅极工艺
- 下一篇：显示屏体及显示装置
- 同类专利
- 显示基板及其制作方法、显示装置-201980000017.8
- 肖文俊;王世君;胡合合;郑皓亮;陈希;陈小川;袁广才 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
- 2019-01-03 - 2023-10-20 - H01L21/84
- 一种显示基板及其制作方法以及显示装置。该显示基板的制作方法包括：形成第一显示电极(4)；以及形成薄膜晶体管，包括形成半导体层(5)；所述第一显示电极(4)与所述半导体层(5)同层设置，且所述形成第一显示电极(4)的步骤在所述形成半导体层(5)的步骤之前执行。
- 显示面板及其制造方法和电子设备-201910880470.4
- 马应海;俞凤至;刘少伟;候旭 - 云谷（固安）科技有限公司
- 2019-09-18 - 2023-09-26 - H01L21/84
- 本发明实施例提供一种显示面板及其制造方法和电子设备，显示面板制造方法包括，提供基底以及位于所述基底上的第一介质层，在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层内具有贯穿所述第二介质层的开口，所述第二介质层的相对介电常数大于所述第一介质层的相对介电常数，以所述第二介质层为掩模，沿所述开口刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成沟槽。利用第二介质层相对于第一介质层具有较高的刻蚀选择比的特性，在获得具有高深宽比的沟槽的同时，降低了工艺难度，提升了显示面板的良品率。
- 制造半导体器件的方法和半导体器件-201810086095.1
- 槙山秀树 - 瑞萨电子株式会社
- 2018-01-30 - 2023-09-19 - H01L21/84
- 本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种用于在绝缘体上硅衬底之上形成的半导体器件的制造方法中，在宽有源区中的第一半导体层的外周端部之上部分地形成第一外延层。然后，在窄有源区和宽有源区中的第一半导体层的每个之上形成第二外延层。由此，在宽有源区中形成由第一半导体层以及第一和第二外延层的层叠体配置的第二半导体层，并且在窄有源区中形成由第一半导体层和第二外延层的层叠体配置的第三半导体层。
- 背面半导体生长-201780049283.0
- S·格科特佩里;R·哈蒙德 - 高通股份有限公司
- 2017-07-12 - 2023-09-01 - H01L21/84
- 一种集成电路结构可以包括位于由隔离层支撑的正面半导体层上的晶体管。晶体管是第一源极/漏极/体部区域。集成电路结构还可以包括耦合到晶体管的第一源极/漏极/体部区域的背面的凸起的源极/漏极/体部区域。晶体管是凸起的源极/漏极/体部区域，凸起的源极/漏极/体部区域从第一源极/漏极/体部区域的背面朝向支撑隔离层的背面电介质层延伸。集成电路结构可以进一步包括耦合到凸起的源极/漏极/体部区域的背面金属化部。
- 阵列基板的制作方法及阵列基板-202010795067.4
- 柯健;王龙勃;王亮;李治朝 - 昆山龙腾光电股份有限公司
- 2020-08-10 - 2023-08-29 - H01L21/84
- 本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，在衬底上依次形成覆盖第一金属层的第一绝缘层和有源层薄膜，其中有源层薄膜的蚀刻速率大于第一绝缘层，而且有源层薄膜和第一绝缘层上下叠置，将有源层薄膜作为开孔时第一绝缘层的引导层，在对应第一接触孔的位置对有源层薄膜和第一绝缘层进行开孔，能够形成自上而下贯穿有源层薄膜和第一绝缘层的第一接触孔，由于有源层薄膜和第一绝缘层的蚀刻速率不同，在开孔时经过有源层薄膜的引导，避免了下方的第一绝缘层产生底切问题的同时，在第一接触孔的位置可以获取良好的锥度角，使得后续填入第一接触孔的第二金属层避免了断线的风险，有效提高了产品的良率，并且不需要使用新光罩，节约了成本。
- 可拉伸电子装置及其制造方法、可拉伸显示设备-201880000360.8
- 徐映嵩 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
- 2018-04-28 - 2023-08-25 - H01L21/84
- 本申请提供了一种制造可拉伸电子装置的方法。该方法包括：在基底基板上形成弹性聚合物层；在所述弹性聚合物层的多个限定区域中选择性地硬化所述弹性聚合物层，从而形成改性的弹性聚合物层，所述改性的弹性聚合物层包括分别位于多个硬化区域中的、由一个或多个弹性区域中的一个或多个弹性部分间隔开的多个硬化部分，所述多个硬化部分的杨氏模量大于所述一个或多个弹性部分的杨氏模量；以及在所述多个硬化区域中分别形成多个电子器件，所述多个电子器件中的每一个形成在所述多个硬化部分中的一个的远离基底基板的一侧。
- 一种阵列基板的制作方法及其制作设备-201710757117.8
- 何怀亮 - 惠科股份有限公司
- 2017-08-29 - 2023-08-25 - H01L21/84
- 本发明公开了一种阵列基板的制作方法及其制作设备，所述制作方法包括：在基板上形成主动开关；在所述主动开关上形成透明电极层；在所述透明电极层上形成像素层；所述在基板上形成主动开关的方法包括：在基板上形成金属层；采用氢离子轰击所述金属层；在所述金属层上形成保护层，在设置保护层之前采用氢离子轰击金属层，能够有效的解决金属层表面氧化的问题，利用氢离子的氧化还原反应将金属氧化物还原成金属，同时能够有效解决金属层制程到保护层制程之间的等待时间过短的问题。
- 薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及显示面板-202180003961.6
- 简锦诚;王海宏;陈旭;古宏刚 - 京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司
- 2021-12-14 - 2023-08-18 - H01L21/84
- 本申请公开了一种薄膜晶体管TFT的制备方法、阵列基板及显示面板。本申请提供的方案通过控制半色调掩膜板上的半透过区的尺寸和透过率，可以同时制备出具有不同沟道长度的TFT，其中，长沟道的TFT可以应用于静电保护电路，以确保抗静电性能。并且，由于能够采用一个半色调掩膜板同时对第一金属层和半导体膜层进行处理，因此有效减小了制备过程中所需采用的掩膜板的个数，简化了制备工艺。此外，采用半透过区的透过率为25％至35％的半色调掩膜，可以确保同时制备得到的TFT的性能较好。
- 多晶陶瓷衬底及其制造方法-201780038465.8
- 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里;莎丽·法伦斯 - 克罗米斯有限公司
- 2017-06-13 - 2023-08-15 - H01L21/84
- 一种制造陶瓷衬底结构的方法，包括：提供陶瓷衬底，将陶瓷衬底封装在阻挡层中，和形成联接到阻挡层的键合层。该方法进一步包括移除键合层的一部分以暴露阻挡层的至少一部分并限定填充区域，和在暴露的阻挡层的至少一部分以及填充区域上沉积第二键合层。
- 驱动背板、显示面板及芯片转移方法-202310293900.9
- 蒲洋;袁海江 - 惠科股份有限公司
- 2023-03-17 - 2023-07-25 - H01L21/84
- 本发明提供了一种驱动背板、显示面板及芯片转移方法，该芯片转移方法包括如下步骤：在驱动背板的衬底表面制作出间距分布的多个反射结构，其中，每个反射结构相对于驱动背板的衬底表面凸起地设置，反射结构具有相对于驱动背板的衬底表面倾斜的反射面；将带有反射结构的驱动背板与生长基板对位，使得反射结构与生长基板的像素间距位置相对；使用激光从生长基板背对驱动背板的一侧照射生长基板，使得生长基板上用于形成像素的芯片与生长基板的生长衬底脱离。该转移方法能防止激光剥离去除生长衬底时激光对驱动背板产生损伤，并提高激光剥离去除生长衬底的效率。
- 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置-202110049391.6
- 赵旭 - 合肥维信诺科技有限公司
- 2021-01-14 - 2023-07-25 - H01L21/84
- 本申请公开了一种显示面板的制备方法、显示面板和显示装置，包括：首先在阵列基板上依次形成第一电极层、牺牲层及像素定义层，像素定义层具有多个开口，部分的牺牲层通过开口暴露，第一电极层包括金属层及覆盖金属层的保护层；然后利用刻蚀介质蚀刻去除通过开口暴露的部分牺牲层，其中第一保护层与刻蚀介质的作用相对于牺牲层与刻蚀介质的作用呈惰性。该显示面板的制备方法中制备的第一电极层不与用于刻蚀牺牲层的刻蚀介质反应，从而可以保护第一电极层中的金属层，防止第一电极层产生暗点导致显示不良，有助于提升产品良率，保证显示面板的显示效果。
- 用于绝缘体上硅的s接触-201910222017.4
- 贝夫鲁斯·塔什巴什;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;锡南·格克泰佩利 - 派赛公司
- 2016-10-10 - 2023-07-14 - H01L21/84
- 公开了用于绝缘体上硅的s接触(s‑contact)。描述了用于使用电阻式结构改善防止电荷注入器件层中的系统、方法和装置。可以使用更简单的制造方法和更少的制造步骤来制作这样的电阻式结构，即s接触部。对于金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)，可以将s接触部制作成直接连接或电阻式连接至晶体管的所有区，包括源极区、漏极区和栅极。
- 一种显示器件制造方法及显示器件-201911023617.4
- 刘超;孙海威;董学;龚林辉;崔强伟 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2019-10-25 - 2023-06-20 - H01L21/84
- 本发明提供一种显示器件制造方法及显示器件，所述方法包括：提供一衬底基板，其包括相背设置的第一表面和第二表面；在衬底基板的第一表面上、绑定区域处形成外围线路，在外围线路上覆盖柔性绝缘薄膜；去除衬底基板的绑定区域，以使外围线路从衬底基板剥离至柔性绝缘薄膜上，且柔性绝缘薄膜的一部分连接在衬底基板上，另一部分超出衬底基板；弯折柔性绝缘薄膜的超出衬底基板的部分，并固定于衬底基板的第二表面一侧。本发明的目的在于提供一种显示器件制造方法及显示器件，能够有效克服现有技术中显示器件绑定工艺所存在的工艺难度等技术问题，实现窄边框甚至无边框设计。
- 隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列-202210108675.2
- 曹恒;仇圣棻 - 昕原半导体（上海）有限公司
- 2022-01-28 - 2023-05-23 - H01L21/84
- 本发明提供一种隔离改进的2D1R工艺方法及2D1R阵列，在SOI硅片上进行工艺处理以形成深隔离槽，并使深隔离槽与SOI硅片上的氧化层接触；再基于深隔离槽对所述SOI硅片进行离子注入以形成n阱区域与p阱区域；在n阱区域与p阱区域上进行工艺处理以形成浅隔离槽，并在浅隔离槽的两侧进行离子注入以形成n+有源区和p+有源区；通过接触孔将n+有源区、p+有源区与后段器件相连接，从而通过采用SOI技术，可以在降低隔离槽深度的条件下实现更好的阱与阱的隔离效果，同时也可以形成n阱与p阱交替存在的二极管阵列，改善了工艺窗口，实现更小单元尺寸的2D1R阵列。
- 用于实现高电压电路的系统、方法和设备-201780078779.0
- 布迪卡·阿贝辛哈;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;默林·格林;西瓦库马尔·库马拉萨米 - 派赛公司
- 2017-10-30 - 2023-05-02 - H01L21/84
- 描述了用于高电压和低电压器件以及电路在以绝缘体上硅(SOI)技术制备的同一集成电路上共存的系统、方法和设备。具体地，描述了用于减轻背栅效应的技术，包括使用电阻耦合和/或电容耦合来控制在用于SOI制备的衬底的靠近高电压和低电压器件以及电路的区域处的表面电势。在一种情况下，使用N型注入来提供相对于衬底电势的高电势差。
- 显示面板及其制备方法-202011191786.1
- 赵慧慧;朴宇成 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
- 2020-10-30 - 2023-03-28 - H01L21/84
- 本发明提供一种显示面板及其制备方法，显示面板的制备方法包括：在所述衬底基板上形成位于显示区的低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，以及位于非显示区的相互连通的第一过孔和第二过孔，低温多晶硅晶体管位于第一膜层组，氧化物晶体管位于第二膜层组；通过同一第一构图工艺形成贯穿至少部分第二膜层组的第一接触孔和贯穿第二膜层组的第一过孔，通过同一第二构图工艺形成穿第一膜层组和至少部分第二膜层组的第二接触孔和贯穿第二膜层组的所述第二过孔。本申请相比于现有技术，该显示面板的制造过程至少可以节约两次构图工艺，从而简化了显示面板的制程，降低了生产成本，提升了产品良率。
- 贴合晶片的制造方法-201811503657.4
- 森川靖之 - 胜高股份有限公司
- 2018-12-10 - 2023-03-21 - H01L21/84
- 本发明的目的在于提供可以稳定地制造支撑基板用晶片上设置有平台面的贴合晶片的贴合晶片的制造方法。本发明的贴合晶片的制造方法中，平台形成工序使用具有低目数磨石和比该低目数磨石的目数高的高目数磨石的倒角轮进行，所述平台形成工序包括：使用所述低目数磨石，从所述活性层用晶片侧开始，经过所述活性层用晶片的倒角加工，进行所述绝缘膜的倒角加工，进一步进行所述支撑基板用晶片的倒角加工的粗倒角加工工序，和在该粗倒角加工工序之后，使用所述高目数磨石进行通过所述粗倒角加工工序得到的加工面的最终倒角加工的最终倒角加工工序。
- 叠栅结构-202180048193.6
- 张辰;郭德超;王俊利;谢瑞龙;程慷果;李俊涛;C·帕克;鲍如强;石城大;于澜;吴恒 - 国际商业机器公司
- 2021-06-29 - 2023-03-14 - H01L21/84
- 本发明的实施例可以包括半导体结构和制造方法。所述半导体结构可包含顶部沟道及底部沟道，其中所述顶部沟道包含多个垂直取向的沟道。底部沟道包括多个水平取向的沟道。所述半导体结构可以包括围绕所述顶部沟道和所述底部沟道的栅极。所述半导体结构可以包括位于所述栅极的每一侧上的间隔物。第一间隔物包括位于多个垂直取向的沟道之间的电介质材料。第二间隔物包括位于多个水平取向的沟道之间的电介质材料。这可以实现在垂直间隔物之间形成间隔物。
- 显示面板及其制作方法-202210569500.1
- 李泽尧;李荣荣 - 惠科股份有限公司
- 2022-05-24 - 2023-01-17 - H01L21/84
- 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，显示面板的制作方法包括：提供基板；在基板的一侧制备驱动电路层；驱动电路层包括层叠设置的绑定层、显示衬底和阵列电路层，且绑定层位于显示衬底与基板之间；去除基板，使绑定层暴露；在绑定层上绑定外部控制单元。本申请通过将绑定层设置在基板上，再通过显示衬底和阵列电路层与绑定层电连接，制成之后将基板去除，使得绑定层可以暴露在外，从而避免了打孔工序或设置绑定层工序对阵列电路层造成损坏。
- 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置-202211374379.3
- 张合静;林春燕;张捷;许哲豪;郑浩旋 - 惠科股份有限公司
- 2022-11-04 - 2022-12-27 - H01L21/84
- 本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，所述制作方法包括：在衬底一侧表面上的非显示区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件；在每个半导体块远离所述衬底的一侧表面上形成开关结构，且在每个发光元件远离所述衬底的一侧表面上形成像素介质，本申请借助于发光元件形成过程中的结晶温度，使得半导体块结晶化，从而制备形成显示面板，本申请相较于现有技术避免了巨量转移的过程，结晶化的TFT迁移率高，稳定性好，搭配像素介质，可以实现色域更高的显示效果。
- 阵列基板的制备方法及显示面板-202211142696.2
- 蒲洋;康报虹 - 惠科股份有限公司
- 2022-09-20 - 2022-12-20 - H01L21/84
- 本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法及显示面板，所述阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板，衬底基板包括显示区和绑定区；在显示区内依次形成驱动层和平坦化层，驱动层包括多个晶体管，平坦化层具有露出晶体管第一极的过孔，第一极为源极或漏极；在绑定区内依次形成绑定引脚和包裹绑定引脚的保护层；在形成所述保护层之后，在所述显示区的平坦化层上形成阳极，所述阳极通过所述过孔与所述晶体管的第一极连接。本方案通过在绑定区形成完全覆盖绑定引脚的保护层，可以保护绑定引脚在阳极刻蚀过程中不会与刻蚀液发生反应，保证相邻绑定引脚之间相互断开，避免相邻绑定引脚之间发生短路，从而保证显示面板的显示效果。
- 显示基板及其制备方法、显示装置-201911081324.1
- 韩林宏;张毅;秦世开 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
- 2019-11-07 - 2022-12-09 - H01L21/84
- 本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板的制备方法，包括：形成衬底，所述衬底包括显示区域和弯折区域；在所述衬底之上形成无机层；在所述显示区域的无机层之上形成源漏极层；在所述弯折区域的无机层中形成凹槽；该显示基板的制备方法能够解决凹槽中金属薄膜层的残留问题，避免数据信号线之间短路。
- 半导体器件的制造方法-201710356005.1
- 槙山秀树 - 瑞萨电子株式会社
- 2017-05-19 - 2022-12-06 - H01L21/84
- 本发明公开了半导体器件的制造方法，其目的在于提高半导体器件的可靠性。在该方法中，准备衬底，在半导体衬底(SB)上层叠绝缘层(BX)、半导体层(SM)和绝缘膜(ZM1)，在沟槽(TR)内埋设有元件隔离区域(ST)。除去体区域(1B)的绝缘膜后，使用第一蚀刻液除去体区域的半导体层，然后使用与第一蚀刻液不同的第二蚀刻液使SOI区域(1A)的绝缘膜和体区域的绝缘层变薄。对SOI区域的半导体衬底离子注入杂质后，除去SOI区域的绝缘膜和体区域的绝缘层。第一蚀刻液对绝缘膜和绝缘层的蚀刻速度比第一蚀刻液对半导体层的蚀刻速度小，第二蚀刻液对绝缘膜和绝缘层的蚀刻速度比第一蚀刻液对绝缘膜和绝缘层的蚀刻速度大。
- 显示面板及其制造方法-202210899860.8
- 毛晗;康报虹 - 惠科股份有限公司
- 2022-07-28 - 2022-11-29 - H01L21/84
- 本申请提供了一种显示面板及其制造方法，通过在平坦层上设置互斥层，使得在转移发光单元时，由于互斥层与发光单元的出光面相互排斥，发光单元可以快速转移进凹槽内，降低转移难度，提升对位精度。其次，通过将第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元进行分次转移和分层设置，可以降低第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的转移难度，进一步提升定位精度。
- OLED显示面板及其制备方法-202011450767.6
- 潘杰 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
- 2020-12-10 - 2022-11-25 - H01L21/84
- 本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法，制备方法包括步骤：提供一阵列驱动背板，包括第一显示区与第二显示区；在阵列驱动背板上形成第一形变层，第一形变层对应地形成于第二显示区中的非像素区域；在阵列驱动背板与第一形变层上形成第一膜层，其中，在形成第一膜层的过程中，还包括如下步骤：使用第一光照照射第一形变层，第一形变层体积膨胀，得到第二形变层，第二形变层在阵列驱动背板上的正投影与第二显示区的像素区域存在重合，使用第二光照照射第二形变层，第二形变层体积缩小；对第一膜层进行图案化工艺，形成阳极层；在阳极层上形成有机发光功能层、阴极层及封装层。即可使得第二显示区的阳极层厚度减薄，以满足此区域的透光需求。
- 半导体器件的制作方法及图像传感器器件-201711284349.2
- 邱威超;王志谦;许峰嘉;郭景森;张浚威;曾凯 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2017-12-07 - 2022-11-22 - H01L21/84
- 本发明的实施例提供一种制作半导体器件的方法及图像传感器器件。所述方法包括：使用具有第一图案的第一光掩模在第一光刻胶层中形成第一沟槽以暴露出衬底的第一表面；将离子经由第一沟槽引至暴露的第一表面中以在衬底中形成第一隔离区；移除第一光刻胶层；使用具有第二图案的第二光掩模在第二光刻胶层中形成第二沟槽以暴露出衬底的第二表面，第二图案相对于第一图案对角地偏移半个掩模间距；将离子经由第二沟槽引至暴露的第二表面中以在衬底中形成第二隔离区，第一隔离区与第二隔离区在衬底中交替地设置且第一隔离区与第二隔离区之间界定像素区；以及移除第二光刻胶层。
- 阵列基板及其制作方法、以及显示面板-202210860061.X
- 黄世帅;康报虹 - 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
- 2022-07-20 - 2022-10-18 - H01L21/84
- 本申请提供阵列基板及其制作方法、以及显示面板。该制作方法包括：提供包括功能区和外围区的衬底基板；形成位于功能区的栅极和位于外围区的第一对位标记；形成栅极绝缘层，第一对位标记外露于栅极绝缘层；形成有源层和多个第二对位标记，不同第二对位标记对准第一对位标记时，有源层相对栅极的层叠位置不同；形成部分层叠于有源层上的源漏极层、及用于对准第一对位标记以保证源漏极层相对栅极的层叠位置固定的第三对位标记，栅极、有源层和源漏极层共同形成多个晶体管组，每一晶体管组包括主薄膜晶体管及次薄膜晶体管。采用该制作方法，可以制作出包括具有目标尺寸差异的主薄膜晶体管和次薄膜晶体管的阵列基板，以满足显示面板的视角表现需求。
- 厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法-202110381198.2
- 陈仙;张培健;洪敏;廖希异;王妍;邱盛 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司
- 2021-04-09 - 2022-10-18 - H01L21/84
- 本发明提供一种厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，该制备方法包括步骤：制备Si/SiO
- 阵列基板及其制备方法、显示面板-202210886100.3
- 卓恩宗;夏玉明;朱虹玲;康报虹 - 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
- 2022-07-26 - 2022-10-11 - H01L21/84
- 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在基板上形成栅极和栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第一有源层。通过本申请的制备方法制备得到的阵列基板的结晶度及原子有序性较高，电子迁移率高达2‑10cm
- 阵列基板及其制备方法、显示面板-202210887479.X
- 卓恩宗;夏玉明;李荣荣 - 惠科股份有限公司
- 2022-07-26 - 2022-10-11 - H01L21/84
- 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在基板上形成栅极以及栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成第一有源层；在第一有源层上通过离子体增强化学的气相沉积法工艺形成第二有源层；在第二有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第二有源层。通过本申请的制备方法制备得到的阵列基板制备效率高，结晶度及原子有序性较高，电子迁移率高达2‑10cm
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
