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[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及显示面板-CN202180003961.6在审
发明人： 简锦诚;王海宏;陈旭;古宏刚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管TFT的制备方法、阵列基板及显示面板。本申请提供的方案通过控制半色调掩膜板上的半透过区的尺寸和透过率，可以同时制备出具有不同沟道长度的TFT，其中，长沟道的TFT可以应用于静电保护电路，以确保抗静电性能。并且，由于能够采用一个半色调掩膜板同时对第一金属层和半导体膜层进行处理，因此有效减小了制备过程中所需采用的掩膜板的个数，简化了制备工艺。此外，采用半透过区的透过率为25％至35％的半色调掩膜，可以确保同时制备得到的TFT的性能较好。
薄膜晶体管制备方法阵列显示面板

[发明专利]一种基板及其制造方法-CN201810674977.X有效
发明人：陈方;简锦诚;史秀景;郑帅;田汝强;郝光叶;陈宜铭;周刘飞 -专利权人：南京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板及其制造方法，所述基板包括基底、位于基底上的第一金属层、位于第一金属层上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的第二金属层、位于第二金属层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层通过两次蚀刻工艺完成，第一次蚀刻后，第三绝缘膜层还具有一定厚度的保护膜层；第二次蚀刻后，移除所述保护膜层，形成所述第三绝缘层。本发明通过使用第三绝缘层作为掩膜版，减少一道掩膜版，缩减了一道过孔的黄光制程，可以进一步减少光刻次数，优化制程，从而节省成本、提高节拍时间，进一步增强竞争力。
一种及其制造方法

[发明专利]一种液晶显示面板及其制造方法-CN202011441748.7在审
发明人： 简锦诚;王怀俩;王海宏;徐竹表;卞存健 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示面板及其制造方法，液晶显示面板设有显示区域和位于显示区域周边的栅极驱动电路区域，栅极驱动电路包括多个栅极驱动电路单元与多个栅极驱动电路单元连接的低电平主线，每个栅极驱动电路单元内设有低电平分支线、以及分别设置在低电平分支线两侧且平时设置的2对平行金属线或2对平行透明线；其中每个栅极驱动电路单元内的低电平分支线通过接触孔与低电平主线连接。本发明降低静电击伤光罩图形的风险，达到高像素PPI、高分辨率显示屏的目的，且可避免静电击伤造成的TFT沟道短路的问题，从而提高了产品良率和降低了生产成本。
一种液晶显示面板及其制造方法

[发明专利]一种彩膜基板-CN202011342228.0在审
发明人：郝光叶;简锦诚 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种彩膜基板，其包括位于玻璃基板上的黑色矩阵，黑色矩阵包括位于显示区域内的第一黑色矩阵和位于边角区域内的第二黑色矩阵，彩膜基板还包括位于第一黑色矩阵和第二黑色矩阵之间的弧形开槽。本发明彩膜基板的黑色矩阵，通过在面板的蹦角和侧边的黑色矩阵与显示区域的黑色矩阵断开，这样黑色矩阵既可以起到遮蔽阵列基板的金属作用，又可以避免由于蹦角或侧边划伤导致黑色矩阵损伤，进而避免水汽入侵至显示区域的黑色矩阵中，进而避免的显示异常。
一种彩膜基板

[发明专利]一种内嵌式触控面板阵列基板及其制造方法-CN201910139949.2有效
发明人：董波;简锦诚;郑帅;王志军;易志根;李梦颖 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种内嵌式触控面板阵列基板及其制造方法，阵列基板包括扫描线、数据线、导通线、TFT开关、像素电极和触控传感器连接线；TFT开关包括栅极、源极以及漏极；还包括第一接触孔，第一接触孔内像素电极的上方依次设有第三金属层和第二透明电极层；导通线包括第一透明电极层、第三金属层和第二透明电极层。本发明通过在第三金属层上方新增一层第二透明电极层，防止第一透明电极层高温退火时第三金属层被氧化，且采用第一透明层和第二透明电极层一次刻蚀，可有效避免有机绝缘层底切的问题，同时能够降低像素电极退火制程所需时间和提升了像素电极透过率，提升了生产效率和产品品质，降低了生产成本。
一种内嵌式触控面板阵列及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN202010755949.8在审
发明人： 简锦诚;郝光叶;郑帅;陈宜铭;许家诚 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列基板及其制造方法，通过减去栅极绝缘层的光罩、新增第一绝缘层的光刻、减去有机绝缘层及其光罩等过程，将8 Mask变为7 Mask，并进一步在像素区的半导体沟道覆盖第一透明电极层和/或在信号走线区的第二绝缘层上覆盖第二透明电极层，获得的阵列基板不仅解决了薄膜晶体管失效导致的像素黑点问题，缩减了成本，提升了产能，还进一步解决了显示区边缘像素发绿的不良问题。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910114510.4有效
发明人：郑帅;简锦诚;胡威威;董波;高威;杨帆 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，包括像素区和端子区；像素区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极，第一绝缘层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层、像素电极、第四过孔，像素电极通过第四过孔与漏极导通；端子区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、第五过孔，像素电极通过第五过孔与栅极导通。本发明通过像素区对光刻胶、第三绝缘层、第一绝缘层同时进行刻蚀，端子区对第三绝缘层、第一绝缘层、栅极绝缘层同时进行刻蚀，可以减少像素区对第一绝缘层、第二绝缘层和漏极表面过刻的影响，降低过孔处阻抗。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910038104.4有效
发明人：郑帅;简锦诚;易志根;胡威威;董波;高威 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法，包括像素区和端子区；像素区包括栅极、像素电极、栅极保护层、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极；栅极绝缘层上具有第一栅极绝缘层孔，漏极通过第一栅极绝缘层孔与像素电极导通；端子区包括栅极、栅极保护层、栅极绝缘层、金属接触层、第一绝缘层、第二绝缘层、和公共电极。本发明通过在栅极上形成栅极保护层，可以保护栅极不被腐蚀和氧化；通过设计像素电极上方无第二绝缘层，可以提高像素区光的透过率；通过控制干刻时间可控制第一绝缘层和栅极绝缘层的厚度，进而控制公共电极与像素电极之间的距离；将阵列基板的制造减少至6道光罩，节约成本。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法-CN201910000889.6有效
发明人：董波;简锦诚;郑帅;杨帆 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法，属于液晶显示制造领域，本发明通过在源极、漏极和半导体层使用第一次半色调掩膜版，在第一透明电极层和触控金属层使用第二次半色调掩膜版，在有机绝缘层和第一绝缘层中使用一道光罩两次刻蚀，减少了阵列基板在制造过程中的总的光罩使用数量，同时提升显示面板的开口率，提高显示效果，同时能够降低生产成本，提升生产效率，同时可以减少光阻残留风险。
一种内嵌式触控阵列及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201911166613.1在审
发明人：董波;简锦诚;王海宏;郑帅;文超平 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的栅极绝缘膜、位于栅极绝缘膜上且位于栅极上方的金属氧化物半导体层，还包括覆盖在金属氧化物半导体层上的第一绝缘层、与金属氧化物半导体层同层且分别位于金属氧化物半导体层两端接触的第一氧化物导体和第二氧化物导体、位于第一氧化物导体上的源极、位于第二氧化物导体上的漏极以及第二绝缘层，其中第二绝缘层覆盖第一绝缘层、源极、漏极和栅极绝缘膜。本发明第一氧化物导体和第二氧化物导体为金属氧化物半导体未覆盖第一绝缘层导体化形成，第一绝缘层决定沟道的尺寸L1，这样实现了薄膜晶体管的小型化，避免第二绝缘层形成前氧化物半导体材料处理造成第二金属层的氧化。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910951823.5在审
发明人：陈方;简锦诚;郑帅;郝光叶;许家诚 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提出一种阵列基板及其制造方法，涉及显示面板领域，所述制造方法包括以下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层，形成位于像素区的栅极以及位于端子区的扫描线；S2：依次沉积第一绝缘层、半导体层和第二金属层，利用半透掩膜版形成位于像素区的栅极绝缘层、沟道半导体层、源极、漏极、与漏极接触的第一半导体层以及位于端子区的数据线；S3：沉积第二绝缘层，形成绝缘保护层，所述绝缘保护层上设有第一开孔并暴露出第一半导体层，通过第一开孔对第一半导体层进行导体化形成像素电极；S4：沉积第三绝缘层，形成介电层，并形成位于端子区扫描线上的第一接触孔以及数据线上的第二接触孔；S5：沉积透明电极，形成覆盖像素区和端子区的公共电极。
半导体层端子区绝缘层沉积像素区绝缘保护层第一开孔接触孔扫描线数据线沉积透明电极沟道半导体层第二金属层第一金属层栅极绝缘层公共电极漏极接触显示面板像素电极阵列基板导体化介电层掩膜版半透基板漏极源极制造暴露覆盖

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910980678.3在审
发明人：郑帅;简锦诚;董波;王青 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明还提供一种阵列基板及其制造方法，阵列基板包括纵横交错的数据线和扫描线、薄膜晶体管和像素电极；薄膜晶体管包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、连接电极以及金属氧化物半导体层，其中，源极与金属氧化物半导体层接触，源极和连接电极分别位于金属氧化物半导体层的两侧，连接电极连接金属氧化物半导体层和像素电极。本发明阵列基板具有三个优点：第一，薄膜晶体管的沟道长度L不受曝光机的分辨率限制，而是由第一绝缘层和源极之间的对准精度决定沟道长度L的大小；第二，随着L缩小，栅极的宽度也跟着缩小，于是彩膜基板的黑矩阵在遮光区域会减小，透光区域会变大，从而开口率提高；第三，由于没有漏极，遮光区域减小，开口率增大。
金属氧化物半导体层源极薄膜晶体管连接电极阵列基板像素电极遮光区域开口率扫描线沟道减小绝缘层氧化物半导体层分辨率限制数据线连接彩膜基板连接金属透光区域黑矩阵曝光机数据线纵横交错漏极对准制造

[发明专利]一种显示面板及其制造方法-CN201910931468.5在审
发明人：董波;简锦诚;郑帅;陈方;郝光叶 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及其制造方法，显示面板包括扫描线和数据线、TFT开关、像素区域以及像素电极；所述像素电极包括与所述半导体形成材料相同的像素电极前体，所述显示面板还包括覆盖像素电极前体和半导体层的第二绝缘层，所述第二绝缘层在像素电极前体上开设接触孔，接触孔不超过像素电极前体的边缘；像素电极前体经离子注入进入所述接触孔内并形成具有导体性的像素电极。本发明显示面板及其制造方法，像素电极的边缘为一个缓升的台阶，有利于配向膜的涂布；避免了第三绝缘层的边缘UnderCut(底切)的发生；降低了公共电极爬坡断线的风险。
像素电极前体显示面板绝缘层接触孔半导体形成半导体层公共电极爬坡断线像素区域导体性配向膜扫描线数据线底切离子制造覆盖

[发明专利]一种In-cell触控面板的制造方法-CN201910938192.3在审
发明人：董波;简锦诚;郑帅;李梦颖;周刘飞;王志军 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种In‑cell触控面板的制造方法，In‑cell触控面板包括像素区和端子区，通过在有机绝缘层上新增一层复合无机层，解决第二次半色调掩膜版过程中对有机绝缘层的刻蚀，形成有机绝缘层底切(Undercut)的问题，提升了产品品质，同时因为在第三金属层上新增了氧化物半导体材料层，使第一透明电极层在退火制程可以在光阻剥离后立即进行，而不必沉积绝缘层后再进行退火，降低了像素电极的退火制程所需时间和提升了像素电极的透过率，同时退火完成后氧化物半导体材料层又方便去除，对产品结构不带来其他影响，本发明有利于提升生产效率和产品品质，降低了生产成本。
退火有机绝缘层氧化物半导体材料层产品品质触控面板像素电极制程绝缘层透明电极层生产效率半色调端子区金属层透过率无机层像素区掩膜版沉积底切光阻刻蚀去除生产成本产品结构剥离复合制造

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910306368.3有效
发明人：郑帅;简锦诚;易志根;董波;王青 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提出一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示领域，包括步骤：S1：利用第一半透掩膜版进行图案化并进行烘烤形成在第一叠层和第二叠层，第一叠层和第二叠层均依序为第一透明电极层、栅极和栅极保护层；所述栅极保护层在烘烤时用于防止栅极被氧化；S2：利用第二半透掩膜版形成栅极绝缘层、半导体层、第一接触孔以及第二接触孔；S3：利用掩膜版形成位于源极、漏极以及源漏极连接区；S4：利用第三半透掩膜版形成第一绝缘保护层、第二绝缘保护层、第三接触孔以及第四接触孔；S5：利用掩膜版形成位于第三接触孔和第四接触孔内的公共电极。在减少光罩降低成本的同时也能够很好地解决像素电极退火结晶时栅极金属铜发生氧化的问题。
接触孔掩膜版叠层半透绝缘保护层栅极保护层阵列基板烘烤液晶显示领域退火透明电极层栅极绝缘层半导体层公共电极像素电极栅极金属连接区图案化源漏极光罩漏极源极制造

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