[发明专利]一种半导体激光器的散热封装结构在审

专利信息
申请号: 201811538580.4 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109755860A 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 胡双元;帕勒布·巴特查亚;蒋培 申请(专利权)人: 苏州矩阵光电有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/022
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 朱静谦
地址: 215614 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种半导体激光器的散热封装结构,旨在解决现有技术中需要单独为半导体激光器配备半导体制冷器,导致半导体激光器体积较大的问题,包括半导体制冷器以及金属层;其中,金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间,半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中,半导体激光器堆叠在半导体制冷器上方的金属层上。在封装半导体激光器的过程中,把半导体制冷器一并封装一体,半导体激光器产生的热量通过金属层传递到半导体制冷器向外界吸热的冷端,相较于现有技术中单独为半导体激光器配备半导体制冷器,最终使封装的半导体激光器体积减小,提高激光器的性能。
搜索关键词: 半导体激光器 半导体制冷器 金属层 封装 散热封装结构 半导体封装技术 吸热 体积减小 整体封装 激光器 配备 堆叠 冷端 芯片 传递
【主权项】:
1.一种半导体激光器的散热封装结构,其特征在于,包括:半导体制冷器(1)以及金属层(2);其中,所述金属层(2)设置在所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)之间,所述半导体制冷器(1)与所述半导体激光器(3)通过所述金属层(2)整体封装于一颗芯片中,所述半导体激光器(3)堆叠在所述半导体制冷器(1)上方的所述金属层(2)上;所述半导体制冷器(1)包括:硅衬底(11)、金属电极(12)、半导体热电材料(13)、P‑N结构(14);其中,所述金属电极(12)蒸镀于所述硅衬底(11)上,所述半导体热电材料(13)沉积于所述金属电极(12)上,所述P‑N结构(14)刻蚀于所述半导体热电材料(13)上。
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