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[实用新型]一种电源控制电路及医疗设备-CN202320919769.8有效
发明人： 张军军;黄剑威;吉恩才;戴逸翔;李留柱 -专利权人：苏州密尔光子科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电源控制电路及医疗设备，涉及电源电路技术领域，该电源控制电路包括：滤波装置、变压器、浪涌保护装置、第一高压电阻、第二高压电阻和电源模块；滤波装置的输入端与交流电源连接，滤波装置的输出端与变压器的输入端连接；变压器的第一输出端分别与第一高压电阻、浪涌保护装置和电源模块的第一输入端连接；电源模块用于将交流电转换为直流电；变压器的第二输出端分别与第二高压电阻、浪涌保护装置和电源模块的第二输入端连接。本实用新型节约了材料成本，降低了设备剩余电压的电击伤害，提升了电路的安全性。
一种电源控制电路医疗设备

[实用新型]一种快速散热砂轮片-CN202320944754.7有效
发明人： 张军军 -专利权人：永康市箭皇磨具有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B24D7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速散热砂轮片，包括砂轮本体，砂轮本体内部的中心处开设有轴孔；轴孔的内部卡接有轴套；轴套的前后两端均安装有散热夹盘；散热夹盘的内侧与砂轮本体的表面粘接；散热夹盘的四周均安装有固定杆，固定杆与砂轮本体的表面卡接。本实用新型通过设置散热槽，散热槽增加了散热夹盘与空气的接触面积，增加了散热夹盘转动时的散热效果，同时环形槽和散热片的设置也进一步提高散热夹盘与空气的接触面积；以提高散热效果，进而能够减少热量传导给打磨机或切割机等设备，起到了对这些设备进行保护的目的，同时能够提高砂轮本体的降温速度，在一定程度上减少高温对砂轮本体造成的损伤。
一种快速散热砂轮

[外观设计]数字激光陀螺（小型模块化）-CN202230752002.1有效
发明人：马仰华;张军军;冯驰;刘星;徐宇珩;李远锋 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：数字激光陀螺（小型模块化）。2.本外观设计产品的用途：激光陀螺是惯性导航的主要器件之一。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
数字激光陀螺小型模块化

[实用新型]一种多芯片大容量高集成封装结构-CN202320077606.X有效
发明人：韩磊磊;张军军;华毅 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多芯片大容量高集成封装结构，包含基板、元器件、控制器、垫片、内存芯片和闪存芯片；元器件焊接在基板上，控制器通过底部填胶倒装在基板上，垫片通过DAF胶膜贴合在基板上；内存芯片有多层，多层内存芯片通过DAF胶膜依次阶梯堆叠在基板上，最上层的内存芯片的顶面与垫片的顶面齐平；闪存芯片有多层，多层闪存芯片通过DAF胶膜依次阶梯堆叠在垫片和最上层的内存芯片上；本方案将多颗内存芯片堆叠在基板上，并在基板上设置与多颗内存芯片等高的垫片，使多层闪存芯片可以直接堆叠在垫片和内存芯片上，以此减少存储芯片的占用并实现更灵活的系统设计，可以最大限度的实现多芯片，大容量，低功耗，高集成的封装模式。
一种芯片容量集成封装结构

[发明专利]储能电阻焊智能充电系统及方法-CN202310548563.3在审
发明人：赵素卿;张军军;赵继华;聂兰民 -专利权人：天津商科数控技术股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B23K11/26 文献下载
摘要：本发明涉及储能电阻焊智能充电系统及方法，系统包括SCR电路、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L1、IGBTQ1、IGBTQ2、进线电压采样电路、SCR驱动电路、IGBT驱动电路、主控电路、电流采样电路和电压采样电路。储能充电系统在充电过程中，根据采样的进线电压以及电容C1两端电压的情况，实时调整两个IGBT的控制策略，来实现电容C1的快速充电。本发明通过使用IGBT快速开关功能，利用降压充电和升压充电技术，可提高充电效率，降低功耗，降低设备体积。
电阻智能充电系统方法

[发明专利]一种超晶格阵列红外探测器芯片和制备方法-CN202310856719.4有效
发明人：陈龙华;牛雪雷;苏莹;张军军;张莹;柴玉;张培峰 -专利权人：太原国科半导体光电研究院有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种超晶格阵列红外探测器芯片和制备方法，属于探测器芯片技术领域，所述超晶格阵列红外探测器芯片，包括：N型GaSb衬底、GaSb缓冲层、超晶格阵列层、P型InAs层、第一金电极、第二金电极、第一金丝引线、第二金丝引线和读出电路；N型GaSb衬底上设置有GaSb缓冲层；GaSb缓冲层上设置有超晶格阵列层；超晶格阵列层远离GaSb缓冲层的一侧设置有P型InAs层；GaSb缓冲层上设置有第一金电极，P型InAs层上设置有第二金电极；第一金电极通过第一金丝引线与读出电路电性连接，将第二金电极通过第二金丝引线与读出电路电性连接。
一种晶格阵列红外探测器芯片制备方法

[发明专利]一种像增强器夜视全彩光照度自动保护电路-CN202311083001.2在审
发明人：陈龙华;牛雪雷;牛育超;刘鹏举;王伟;薛建凯;张军军;张培峰 -专利权人：山西创芯光电科技有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02H7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种像增强器夜视全彩光照度自动保护电路，涉及光电检测技术领域，包括像增强器、保护电路和控制电路，保护电路包括第一电位器、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第一连接端、第二连接端，所述第一电位器一端和第二连接端连接，第一电位器另一端、第一电位器抽头端、第二电阻一端和第一三极管基极连接，第一三极管集电极和第一连接端、第四电阻连接，第一连接端和像增强器连接，第一三极管发射极和第三电阻一端连接，第二电阻另一端、第三电阻另一端和接地端连接。本发明具备全局限制，在此限制基础上可以仅对超出一定光照强度的阈值部分进行单独限制，使用过程中不进行切断。
一种增强器夜视全彩光照度自动保护电路

[实用新型]一种复合砂轮片-CN202320623315.6有效
发明人： 张军军 -专利权人：永康市箭皇磨具有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24D7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合砂轮片，包括砂轮片盘体、装配部和磨削部，装配部位于在砂轮片盘体的中心位置，装配部外侧位于砂轮片盘体的表面均匀分布开设有多个排屑槽，砂轮片盘体的外侧设置有基盘部，基盘部的两侧分别设置有耐磨层，耐磨层通过抗压层与磨削部连接，磨削部的外部连接有多组切削块。本实用新型能够提高砂轮片整体的抗压和耐磨性能，防止出现弯曲变形现象，延长其使用寿命通过砂轮片的正反面均设有多个排屑槽，设置的排屑槽能够快速排出切削过程中产生的切削屑，防止附着在砂轮片表面影响其使用；并且能够提高磨削力，且能够适应各种冷却液的作用，进一步延长砂轮片的使用寿命。
一种复合砂轮

[发明专利]一种级联H桥多电平功率放大器的载波移相调制方法-CN202310829887.4在审
发明人：赖纪东;聂照伟;苏建徽;张军军;徐珊珊;董玮;张晓琳;崔玉妹 -专利权人：合肥工业大学;中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种级联H桥多电平功率放大器的载波移相调制方法，包括：1对于直流侧输入电压不平衡工况下的级联H桥多电平功率放大器，对每个H桥单元直流侧电压以及调制度进行检测；2利用神经网络‑遗传混合算法对移相角有关的非线性超越方程组进行求解，得到新的载波移相角度；3调整载波移相角进而消除部分由直流侧电压不平衡所引起的输出电压谐波。本发明通过检测直流侧电压以及调制度来计算新的载波移相角度，在保证级联H桥多电平功率放大器优越性能的前提下，能消除部分输出电压谐波，降低输出滤波器设计要求。
一种级联电平功率放大器载波调制方法

[实用新型]一种砂轮片生产用智能检验装置-CN202320764903.1有效
发明人： 张军军 -专利权人：永康市箭皇磨具有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砂轮片生产用智能检验装置，包括固定框架横框、气缸、气动杆、固定桌面及测量集成面板，固定框架横框上方均匀分布多组气缸以及用于安装气缸的气缸固定垫，每组气缸的输出端安装有气动杆，气动杆下方一端固定连接气动连接面板上，气动连接面板左右两端固定连接气动连接竖面面板，气动连接竖面面板连接有测量集成面板，固定桌面的上方与测量集成面板对应位置固定有砂轮片放置平台，砂轮片放置平台上方中央放置砂轮片固定器，固定桌面下方放置有气动踏板，气动踏板连接气动装置。本实用新型只需要操作气动踏板就可以完成相应的检测操作，简化操作流程，而且一次检测多个砂轮片进而提高检验装置的效率。
一种砂轮生产智能检验装置

[实用新型]一种用于MEMS传感器的集成封装结构-CN202320300416.X有效
发明人： 张军军;华毅;张光明 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于MEMS传感器的集成封装结构，包含基板、ASIC芯片和MEMS芯片；ASIC芯片通过银胶粘贴在基板上，ASIC芯片通过金线与基板进行电信号连接，并通过环氧树脂塑封在基板上；塑封后的环氧树脂塑留有空腔，MEMS芯片通过硅凝胶粘贴在环氧树脂塑封后留下的空腔处的基板上，MEMS芯片也通过金线与基板进行电信号连接；该空腔中注满披覆胶；本方案利用基板实现MEMS传感器和ASIC芯片的电导通，减少了MEMS传感器微弱信号的衰减和被其它信号的干扰，通过特殊设计的塑封空腔结构实现了多芯片的系统级封装设计；且MEMS传感器通过硅凝胶粘贴在基板上，降低其在热循环条件下材料的热失配所产生的应力，减少对传感器性能的不利影响。
一种用于 mems 传感器集成封装结构

[实用新型]一种用于改善Nano Sim芯片开裂的封装组件-CN202320296761.0有效
发明人：陆海琴;张军军;华毅 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于改善Nano Sim芯片开裂的封装组件，包含半导体基板、治具板和芯片；半导体基板具有多个封装颗粒区域，治具板上设置有多个封装颗粒外框，封装颗粒区域用于封装芯片，封装颗粒外框与封装颗粒区域的位置一致，每个封装颗粒外框中均设置有多个底部触点凸块；半导体基板的正面和背面均设置有油墨层，半导体基板背面的油墨层不覆盖电极触点位置，形成触点缺口，底部触点凸块与触点缺口配合；本方案在基板底部贴合一封装治具，用于填充油墨与触点之间的高度差；半导体封装作业时，治具连同基板一起作业，只需在后续的基板切单步骤中移除治具作业，可以在Nano Sim芯片分装作业过程中，大幅降低芯片开裂的风险。
一种用于改善 nano sim 芯片开裂封装组件

[发明专利]一种平面结构超晶格红外探测器及其制备方法-CN202311004300.2在审
发明人：王伟;陈龙华;薛建凯;李斌;苏莹;冯伟;张军军;张培峰 -专利权人：太原国科半导体光电研究院有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面结构超晶格红外探测器及其制备方法，属于探测器技术领域，平面结构超晶格红外探测器，包括：N型GaSb衬底、外延层、第一电极、第二电极、钝化层和读出电路；外延层在远离N型GaSb衬底的方向依次叠层设置GaSb缓冲层、N型掺杂缓冲层、第一超晶格接触层、吸收层、障壁层和第二超晶格接触层；N型结构的第一超晶格接触层和P型结构的第二超晶格接触层之间形成内建电场；吸收层分别与第一超晶格接触层和第二超晶格接触层形成第一量子阱和第二量子阱；N型GaSb衬底和外延层形成凸型表面，钝化层覆盖凸型表面；钝化层上开设有电极通道，第一电极和第二电极分别设置于电极通道上。
一种平面结构晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]结合迁移学习的高分辨率卫星影像道路快速提取方法、系统-CN202010389193.X有效
发明人：李山山;张洪群;张军军;李安;陈勃;冯旭祥;吴业炜;陈俊;石璐;韦红卫;林波涛;李宇 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明提供一种结合迁移学习的高分辨率卫星影像道路快速提取方法、系统，其中的方法包括：对获得的卫星影像进行预处理，针对预处理后的卫星影像生成道路标签并得到样本数据集；采用源数据网络中已有的源数据样本对预设学习模型进行训练，得到预训练模型；利用样本数据集对预训练模型进行训练得到目标训练模型；将待处理卫星影像输入至目标训练模型得到待处理卫星影像的目标道路标签，根据目标道路标签提取待处理卫星影像中的道路。以上方案，将预训练模型迁移至目标网络后能有效利用预训练模型中的权重参数，仅需要根据样本影像数据对预训练模型中的权重参数进行微调即可，模型训练趋于轻量化，同时提高了道路提取精度和提取效率。
结合迁移学习高分辨率卫星影像道路快速提取方法系统

[实用新型]一种低功耗高容量的混合封装结构-CN202320046477.8有效
发明人：袁婷;张军军;华毅 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低功耗高容量的混合封装结构，包含基板，基板上设置有控制器、第一小容量内存芯片和第二小容量内存芯片；控制器、第一小容量内存芯片和第二小容量内存芯片的顶部设置有第一大容量内存芯片，第一大容量内存芯片上垂直堆叠有第二大容量内存芯片；第二大容量内存芯片的上侧阶梯堆叠有多层闪存芯片；本方案将内存、闪存和控制器集成在一个封装体内，小容量的利用传输速率更快的倒装焊技术，大容量内存利用超低线弧的埋线技术，不同芯片不同工艺的垂直堆叠技术等；以此突破了现有内存普遍小的的技术壁垒，能够实现大容量，低功耗，薄型化的顺应时代发展的半导体封装产品。
一种功耗容量混合封装结构

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