[发明专利]半导体存储器的检测电路及检测方法在审
| 申请号： | 201811385738.9 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199769A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 邓升成 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种半导体存储器的检测电路及检测方法。该检测电路包括存储单元、存储控制单元及PRBS检测电路。所述存储控制单元与所述存储单元连接，所述PRBS检测单元包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内，所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块能够产生相同的PRBS数据，其中一个PRBS检测模块能够将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块，另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述通信路径正确，若数据不一致，则判断所述通信路径出错。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 检测 电路 方法 | ||
【主权项】：
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