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[发明专利]读出电路及其方法-CN202210055659.1有效
发明人：顾勋;李垣杰;邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种读出电路及其方法，读出电路包括：感测放大单元，设置于相邻的两个存储单元之间，通过位线连接存储单元，通过互补位线连接互补存储单元；感测放大单元包括P型晶体管和N型晶体管，P型晶体管的一端与N型晶体管的一端连接，另一端与上拉电压连接；N型晶体管的另一端与下拉电压连接，N型晶体管的控制端通过位线及互补位线控制；控制单元，用于响应控制信号，连接P型晶体管和N型晶体管；开关单元，连接P型晶体管的控制端，用于响应开关信号，导通P型晶体管传输上拉电压。预先对感测放大单元进行补偿，消除阈值电压差，能够正确读取数据，提高读出电路的读取速度、灵敏度及准确率。
读出电路及其方法

[发明专利]故障定位方法、装置、设备及存储介质-CN202211065676.X在审
发明人：冀康灵;邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本公开提供一种故障定位方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：选用第一映射电路，向存储模块中的待测试存储区域写入预设数据，并读取待测试存储区域，获得第一读取数据；若第一读取数据与预设数据一致，则选用第二映射电路，读取待测试存储区域，获得第二读取数据；若第二读取数据与第一读取数据一致，则表明第一映射电路和第二映射电路无故障；若第二读取数据与第一读取数据不一致，则表明第一映射电路和第二映射电路中的至少一个有故障。本公开根据读写数据的一致性确定存储单元及数据传输路径是否存在故障；根据多种映射规则下的读取数据的一致性检测地址映射电路是否存在故障，实现了对接入系统中的存储芯片上故障位置的定位。
故障定位方法装置设备存储介质

[发明专利]一种封装芯片测试装置-CN202210347701.7在审
发明人：顾勋;司敏;邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请涉及芯片测试技术领域，公开了一种封装芯片测试装置，包括测试插座以及调节装置，其中：测试插座包括壳体和加热模组，其中，壳体内部具有容置空间，芯片位于壳体内；加热模组位于壳体内，且加热模组可与芯片导热连接；调节装置与加热模组电性连接，调节装置还用于调节加热模组的供电电压。本申请公开的封装芯片测试装置，不仅可实现对每一个测试插座的单独加热，还可实现温度的精准控制，并降低成本。
一种封装芯片测试装置

[发明专利]工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法-CN202011550999.9在审
发明人： 邓升成;许家齐;邱安平 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开提供一种工艺偏差检测电路与工艺偏差检测方法，所述工艺偏差检测电路设置在芯片中，包括：第一环形振荡器，所述第一环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第一数量的预设种类的辅助元件；第二环形振荡器，所述第二环形振荡器的相邻两个反相器之间均设置有第二数量的所述预设种类的辅助元件，所述第二数量大于所述第一数量；所述第一环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸与所述第二环形振荡器的反相器的数量、晶体管的种类和尺寸相同，所述辅助元件的种类和连接方式与所述芯片的待测元件参数对应。本公开实施例可以检测芯片中多种参数的工艺偏差情况。
工艺偏差检测电路方法

[发明专利]数据读写方法及装置、动态随机存储器-CN201811446017.4有效
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器，根据模式选择命令进入页读写模式，所述页读写模式命令通过所述动态随机存储器的模式寄存器来配置；接收页读写命令，包括页读写使能命令和交叉读取命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第一保留位来配置，所述交叉读取命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第二保留位来配置，所述交叉读取命令用于用于控制在多个存储块群组中交叉读写数据；根据所述页读写命令，执行交叉页读写操作。
数据读写方法装置动态随机存储器

[发明专利]工艺角检测电路与工艺角检测方法-CN202011480100.0在审
发明人： 邓升成;许家齐;邱安平 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供一种工艺角检测电路与工艺角检测方法，工艺角检测电路包括：设置在芯片中的M个环形振荡器(M≥1)，所述M个环形振荡器的N型晶体管类型不完全相同，P型晶体管类型不完全相同，所述M个环形振荡器的晶体管类型包括所述芯片中使用的全部晶体管类型，所述环形振荡器包括对称环形振荡器和不对称环形振荡器，所述对称环形振荡器的N型晶体管种类和P型晶体管种类相同，所述不对称环形振荡器的N型晶体管种类和P型晶体管种类不同。本公开实施例可以准确检测芯片中各类晶体管的工艺角。
工艺检测电路方法

[发明专利]数据读写方法、读写装置和动态随机存储器-CN201811446001.3有效
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器，读写方法包括：进入页读写模式，所述页读写模式通过所述动态随机存储器的模式寄存器中的保留位来配置。接收页读写命令，包括页读写使能命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的保留位来配置。根据所述页读写命令，执行页读写操作。本发明读写方法使得每笔读写命令可以读写大量的数据，减少读写命令发送次数，提高了读写速率，且降低了功耗。
数据读写方法装置动态随机存储器

[发明专利]存储器参考电压的确定电路、方法、存储器和电子设备-CN201910337990.0在审
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器参考电压的确定电路、方法、存储器、存储器的校准方法、电子设备以及电子设备的校准方法，包括：在预设的测试电压中选取出至少两组测试电压；在各所述测试电压条件下，对数据总线信号进行采样，获得各采样信号；比较各所述采样信号的占空比，确定出符合预设目标占空比的采样信号；将所述符合预设目标占空比的采样信号所对应的所述测试电压的电压值确定为参考电压值。本发明实施例的技术方案在存储器内部增加了确认参考电压范围的电路，并将参考电压范围信息上报至寄存器，这样，存储器在进行参考电压校准之前读取该信息并在该信息的范围内进行参考电压校准，缩短了参考电压校准的时间，提高了存储器产品的竞争力。
存储器参考电压确定电路方法电子设备

[发明专利]写数据采样信号时序监测方法、监测电路和存储器-CN201811435860.2在审
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种写数据采样信号时序监测方法、监测电路和存储器。该监测方法包括：生成提前写数据采样信号和延时写数据采样信号，提前写数据采样信号的时序提前于写数据采样信号，延时写数据采样信号的时序滞后于写数据采样信号，且提前写数据采样信号和延时写数据采样信号之间的时间差不超过写入数据信号一个周期内的有效时间；利用提前写数据采样信号和延时写数据采样信号分别对写入数据信号进行采样，判断采样结果中包含的数据种类，若仅包含一种数据，判断时序准确，否则判断时序不符合要求。本发明能够准确的监控写入时写数据采样信号的时序，以便于处理器确定应当如何调整写数据采样信号的时序。
数据采样信号时序监测方法电路存储器

[发明专利]半导体存储器的检测电路及检测方法-CN201811385738.9在审
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本公开是关于一种半导体存储器的检测电路及检测方法。该检测电路包括存储单元、存储控制单元及PRBS检测电路。所述存储控制单元与所述存储单元连接，所述PRBS检测单元包括第一PRBS检测模块和第二PRBS检测模块，所述第一PRBS检测模块位于所述存储控制单元内，所述第二PRBS检测模块位于所述储存单元内；所述第一PRBS检测模块与所述第二PRBS检测模块能够产生相同的PRBS数据，其中一个PRBS检测模块能够将产生的所述PRBS数据通过所述存储控制单元与所述储存单元之间的通信路径发送到另一个PRBS检测模块，另一PRBS检测模块将接收到的PRBS数据与自身产生的PRBS数据进行比较，若数据一致，则判断所述通信路径正确，若数据不一致，则判断所述通信路径出错。
半导体存储器检测电路方法

[实用新型]存储器参考电压的确定电路、存储器和电子设备-CN201920574660.9有效
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种存储器参考电压的确定电路、存储器以及电子设备，确定电路包括：数据总线接口、信号采样器、信号比较器、占空比校准电路以及寄存器；数据总线接口连接于信号采样器；信号采样器还连接于信号比较器，用于根据测试电压对接收到的数据总线信号进行采样，并向信号比较器输出采样信号；信号比较器还连接于占空比校准电路和寄存器，占空比校准电路用于确定采样信号的占空比信息，信号比较器用于比较多组占空比信息，寄存器用于存储信号比较器的比较结果。本实用新型实施例的技术方案在存储器内部增加了确认参考电压范围的电路，并将参考电压范围信息上报至寄存器，缩短了参考电压校准的时间，提高了存储器产品的竞争力。
信号比较器参考电压寄存器占空比校准电路信号采样器存储器数据总线接口本实用新型电路占空比数据总线信号存储器产品采样信号测试电压存储信号电子设备范围信息输出采样比较器校准采样上报

[实用新型]写数据采样信号时序监测电路和存储器-CN201821979900.5有效
发明人： 邓升成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种写数据采样信号时序监测电路和存储器。监测电路包括：信号生成模块，用于生成并发送提前写数据采样信号和延时写数据采样信号；触发模块，连接数据信号端和信号生成模块，用于利用提前写数据采样信号和延时写数据采样信号触发所述数据信号，以进行采样；判断模块，连接触发模块，用于根据采样结果中包含的数据种类判断写数据采样信号时序是否符合要求，本实用新型监测电路能够准确的监控写入时写数据采样信号的时序，以便于处理器确定应当如何调整写数据采样信号的时序。
采样信号写数据时序监测电路信号生成模块本实用新型触发模块存储器延时采样结果连接数据判断模块数据信号种类判断信号端处理器采样触发写入发送监控

[发明专利]时钟数据恢复装置及电子设备-CN201310312229.4有效
发明人：程昱;邓升成;郭龙成 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种时钟数据恢复装置以及设有该时钟数据恢复装置的电子设备，属于通信技术领域。解决了现有的时钟数据恢复模块存在输出抖动较大的技术问题。该时钟数据恢复装置，包括时钟数据恢复单元、数控振荡单元和先入先出单元；时钟数据恢复单元用于通过第一输入时钟信号对数据输入信号进行时钟数据恢复，生成初步时钟信号和初步数据信号；数控振荡单元用于以一定的分频系数对第二输入时钟信号进行分频，生成并向外部发送恢复时钟信号，还将初步时钟信号与恢复时钟信号进行比较，如果初步时钟信号超前或滞后于恢复时钟信号，则将分频系数相应的减1或加1。本发明应用于电子设备中收发数据的处理。
时钟数据恢复装置电子设备

[发明专利]鉴相器实现电路和鉴相器时钟产生方法-CN201180001514.3有效
发明人： 邓升成;汤晓丹;郑玉婷 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种鉴相器实现电路和鉴相器时钟产生方法，涉及通信技术领域，通过较简单的处理过程生成与业务时钟相适合的鉴相器时钟。所述鉴相器时钟产生方法包括：速率比较器将业务数据写入缓存的速率和鉴相器从缓存中读取业务数据的速率进行比较，确定业务数据对应的业务时钟的频偏绝对值和速率，根据比较结果向图案生成器发出指示，图案生成器根据指示生成快速时钟缺口图案或慢速时钟缺口图案；变频器根据快速时钟缺口图案或者慢速时钟缺口图案对鉴相器的时钟进行变频，采用变频后的鉴相器的时钟从缓存中读取下一个业务数据。主要用于鉴相器时钟的生成。
鉴相器实现电路时钟产生方法

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