[发明专利]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201811277607.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129132B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 唐龙谷;吴煜东;戴小平;罗海辉;刘国友;张泉;覃荣震;彭勇殿 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种IGBT器件，其包括：从下至上依次设置的集电极金属层、P+区、N′区以及N‑区，N‑区的顶部形成有台阶型的沟槽，沟槽的不同台阶上形成有沟槽栅和平面栅。使用本发明的优点在于，相比于单一结构的沟槽型IGBT器件，本器件结合了沟槽栅和平面栅两种栅极结构，因此具有平面栅IGBT和沟槽栅IGBT两种工作机制。平面栅IGBT部分和沟槽栅IGBT部分的栅极氧化过程可以同时完成，可以具有同样的栅极氧化层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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