[发明专利]表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201811256113.2 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN110021385A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | G.海德;H.西姆卡;C.伯温 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G16C20/70 | 分类号： | G16C20/70;G16C60/00;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种表征用在电子器件中的材料的方法及半导体器件。描述了一种表征用在半导体器件中的材料的方法以及使用该材料的半导体器件。该材料具有晶胞和晶体结构。该方法包括仅使用晶胞的正向传导模式来确定材料的品质因数(FOM)。FOM是电阻率乘以平均自由程。FOM可以用于确定材料用在半导体器件中的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子器件 晶胞 平均自由程 晶体结构 品质因数 电阻率 正向 传导 | ||
【主权项】：
1.一种表征用在电子器件中的材料的方法，所述材料具有晶胞和晶体结构，所述方法包括：仅使用所述晶胞的正向传导模式确定所述材料的品质因数(FOM)，所述品质因数是电阻率乘以平均自由程；以及可选地使用所述品质因数来确定所述材料用在所述电子器件中的适用性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811256113.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
