[发明专利]重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法

摘要

本发明提出了重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，通过提取半导体器件工艺参数构建器件结构模型，利用Geant4工具模拟重离子入射到结构模型，考虑重离子与材料中的原子核反应，获得次级重离子能谱，统计能够导致器件发生单粒子翻转的次级重离子概率，并结合半导体器件的饱和翻转截面，计算得到初始重离子通过间接电离导致的单粒子翻转截面。通过本发明获得的翻转截面数据将对器件抗辐射特性的认识更加深入和全面，为器件的抗辐射加固分析和设计提出科学的建议。

主权项

1.重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于步骤如下：(1)、获取被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和和线性能量转换阈值LET阈；(2)、构建被评估半导体器件敏感单元结构；(3)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子，模拟重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图fz(E),z＝1～Z，Z为次级重离子的种类数；(4)、根据进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图，计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z),z＝1～Z，并将各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率求和，得到次级重离子导致单粒子翻转的总概率P；(5)、利用次级重离子导致单粒子翻转的总概率P和被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和，计算得到重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间。