[发明专利]一种半导体器件清洗工艺及装置在审
申请号: | 201811005835.0 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109332252A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 高定健 | 申请(专利权)人: | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/04 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 谈杰 |
地址: | 225116 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体器件清洗工艺,其包括如下步骤:S100:蒸发清洗步骤;采用正溴丙烷蒸汽对待处理的半导体器件进行清洗处理;S200:冷凝步骤;采用冷凝装置进行冷凝处理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半导体器件上凝结成液滴。本发明还提供一种半导体清洗装置,其特包括蒸发‑冷凝清洗装置,所述蒸汽‑冷凝清洗装置包括封闭壳体;加热槽;第一加热装置;支撑架;以及冷凝装置。本发明采用了蒸发‑冷凝的工艺实现了清洗剂的反复使用,降低了成本,减少了污染。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 冷凝 蒸汽 蒸发 冷凝装置 清洗工艺 清洗装置 正溴丙烷 清洗剂 半导体清洗装置 封闭壳体 工艺实现 加热装置 冷凝步骤 冷凝处理 清洗处理 加热槽 支撑架 成液 清洗 凝结 污染 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件清洗工艺,其特征在于,包括如下步骤:S100:蒸发清洗步骤;采用正溴丙烷蒸汽对待处理的半导体器件进行清洗处理;S200:冷凝步骤;采用冷凝装置进行冷凝处理使所述正溴丙烷蒸汽在所述半导体器件上凝结成液滴。
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