[发明专利]蒸发坩埚和蒸发设备有效
| 申请号： | 201780000629.8 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110191976B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴建鹏;梁逸南;嵇凤丽;罗昶;杨忠英 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种蒸发坩埚，包括坩埚主体(1)和连接到坩埚主体(1)的多个喷嘴(2)。多个喷嘴(2)中的每一个在远离坩埚主体(1)的一侧上具有开口。多个喷嘴(2)包括在多个喷嘴(2)的第一边缘(E1)上的第一喷嘴(2A)。第一喷嘴(2A)在接近第一边缘(E1)的一侧上相对于坩埚主体(1)的表面的第一高度(H1)大于在远离第一边缘(E1)的一侧上相对于坩埚主体(1)的表面(S)的第二高度(H2)。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 坩埚 设备 | ||
【主权项】：
1.一种蒸发坩埚，包括：坩埚主体；以及连接到所述坩埚主体的多个喷嘴，每个喷嘴在远离所述坩埚主体的一侧上具有开口；其中所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴；并且所述第一喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第一高度大于在远离所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第二高度。
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- 2020-08-31 - 2021-04-23 - C23C16/00
- 本实用新型涉及CVD镀膜设备技术领域，且公开了一种CVD镀膜设备的真空室，包括真空室本体，所述真空室本体前侧的下部开设有防护槽，所述防护槽内腔的后侧固定安装有伸缩杆，所述伸缩杆的前侧固定安装有操作面板。该CVD镀膜设备的真空室，通过防护槽的内腔设有伸缩板和拉板，再通过操作面板是利用伸缩杆和弹簧与防护槽内腔的后侧连接，便于在不使用操作面板时将操作面板向着防护槽的后侧移动后，向下拉动拉板使得伸缩板的底部进入到限位槽的内腔里，便于将限位槽收纳在防护槽的内腔里，避免了操作面板在不使用状态被外物碰撞导致此真空室启动或者导致操作面板出现损坏的情况，便于对操作面板进行保护。
- 一种多功能一体Fe-Al-Ta共晶复合材料及其制备方法-201911221058.8
- 来园园;崔春娟;任驰强;邓力;刘艳云;王丛 - 西安建筑科技大学
- 2019-12-03 - 2020-12-01 - C23C16/00
- 一种多功能一体Fe‑Al‑Ta共晶复合材料及其制备方法，采用电子束悬浮区域熔炼技术、喷涂和光化学沉积等工艺技术相结合，在制备材料过程中通过改变Fe‑Al‑Ta共晶复合材料的凝固速率，并利用喷涂和光化学沉积等工艺技术对材料某个区域进行特定加工，这个区域可以是任意的形状或图案，使得制备出材料在图案化区域具有所需的特定性能，从而制备出多重功能集于一体的材料。因此通过三种技术相结合的方法，首先改变不同区域的凝固速率来改变材料的凝固组织，然后根据实际需要在某个特定的区域采用喷涂、光化学沉积技术进行特定加工，由此制备出的试样集多重功能于一体。材料性能被集中化、简洁化、多样化，综合性能由此得以提高。
- 遮覆框支撑件-201380051375.4
- 大桥贤吾;桥本孝男;阿部忍 - 应用材料公司
- 2013-09-16 - 2020-08-28 - C23C16/00
- 本发明一般提供一种具有遮覆框支撑件的处理腔室，遮覆框支撑件导引清洁气体流至腔室的角落。遮覆框支撑件沿着部分的腔室壁设置，因此遗留角落成空着的状态。在清洁期间，遮覆框以置于基板支撑件与遮覆框支撑件上的方式设置。因此，沿着腔室壁流动的清洁气体由遮覆框支撑件阻挡，且由于遮覆框支撑件没有延伸到角落，清洁气体被迫使到角落。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
