[发明专利]用于钴的化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201810957437.2 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109531282A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | M·G·瑟瓦纳亚格姆;H·王;M·万哈尼赫姆 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩;陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于化学机械抛光含有钴和TiN的衬底以至少改善钴：TiN去除速率选择性的方法。所述方法包括提供含有钴和TiN的衬底；提供抛光组合物，其含有以下各物作为初始组分：水、氧化剂、丙氨酸或其盐，和直径≤25nm的胶态二氧化硅研磨剂；并提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在抛光垫与衬底之间的界面处建立动态接触；并将抛光组合物分配到在抛光垫与衬底之间的界面处或附近的抛光表面上；其中一些钴被抛光掉，使得钴：TiN去除速率选择性得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 化学机械抛光 抛光组合物 速率选择性 抛光表面 界面处 抛光垫 去除 化学机械抛光垫 胶态二氧化硅 氧化剂 动态接触 丙氨酸 研磨剂 抛光 分配 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光钴的方法，其包含：提供包含钴和TiN的衬底；提供化学机械抛光组合物，其包含以下各物作为初始组分：水；氧化剂；至少0.3重量％量的丙氨酸或其盐；平均粒径小于或等于25nm的胶态二氧化硅研磨剂；以及任选地，腐蚀抑制剂；任选地，杀生物剂；任选地，pH调节剂；任选地，阴离子聚合物；任选地，表面活性剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处建立动态接触；以及将所述化学机械抛光组合物分配到在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处或附近的所述化学机械抛光垫的抛光表面上，以去除所述钴的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，未经罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810957437.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
