专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于通用闪存存储(UFS)的降电模式-CN202310815962.1在审
  • H·幸;T·C·雷诺兹;H·王 - 高通股份有限公司
  • 2018-07-11 - 2023-09-19 - G06F1/3228
  • 本申请涉及用于通用闪存存储(UFS)的降电模式。涉及被配置为支持深度降电模式的通用闪存存储(UFS)存储器系统的系统和方法,其中该UFS存储器系统不需要响应于从耦合到UFS存储器系统的主机设备收到的命令。相应地,在深度降电模式中,UFS存储器系统和主机设备之间的链路或接口也可以被降电。UFS存储器系统可以基于从主机设备或硬件复位断言收到的命令来进入深度降电模式,并且基于硬件复位解除断言或功率循环来退出深度降电模式。当在深度降电模式中,UFS存储器设备的功耗基本上低于常规功率模式中UFS存储器设备的功耗。
  • 用于通用闪存存储ufs模式
  • [发明专利]声学传感器-CN202180071507.4在审
  • G·斯托扬诺维奇;J-F·P·苏仁;许国阳;H·王;P·高 - AMS国际有限公司
  • 2021-10-21 - 2023-08-01 - G01B11/14
  • 公开了一种声学传感器(100、200、300、400、500),所述传感器包括激光器(105、205、305、405、505)和膜片(140、240、340、440、540),所述膜片被配置为在存在声波的情况下振动,并且将由所述激光器发射的辐射向后朝所述激光器反射,以产生对应于所述声波的自混合干涉效应。所述传感器还包括将所述膜片与所述激光器分开并在所述激光器的辐射发射表面的后方延伸的空腔(145、245),所述空腔的大部分体积设置在所述激光器的辐射发射表面(110、210、410、510)的后方。还公开了一种包括该声学传感器的装置(600)以及制造该声学传感器的方法。
  • 声学传感器
  • [发明专利]用于通用闪存存储(UFS)的降电模式-CN201880049108.6有效
  • H·幸;T·C·雷诺兹;H·王 - 高通股份有限公司
  • 2018-07-11 - 2023-06-20 - G06F1/32
  • 涉及被配置为支持深度降电模式的通用闪存存储(UFS)存储器系统的系统和方法,其中该UFS存储器系统不需要响应于从耦合到UFS存储器系统的主机设备收到的命令。相应地,在深度降电模式中,UFS存储器系统和主机设备之间的链路或接口也可以被降电。UFS存储器系统可以基于从主机设备或硬件复位断言收到的命令来进入深度降电模式,并且基于硬件复位解除断言或功率循环来退出深度降电模式。当在深度降电模式中,UFS存储器设备的功耗基本上低于常规功率模式中UFS存储器设备的功耗。
  • 用于通用闪存存储ufs模式

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