[发明专利]杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法在审
| 申请号： | 201810885362.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109390223A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 谷津克也 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18;C09D183/06;C09D7/61 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法。本发明的课题在于提供能在抑制硼化合物的外部扩散的同时使硼向半导体衬底中良好地扩散的涂布型的杂质扩散剂组合物、和使用该杂质扩散剂组合物在硅衬底的表面上形成杂质扩散层的方法。本发明的解决手段为：在包含(A)硼化合物和(S)溶剂的涂布型的杂质扩散剂组合物中，使用具有特定的部分结构的硼化合物作为(A)硼化合物，并且与(A)硼化合物一同使用(B)硅氧烷化合物。作为(B)硅氧烷化合物，优选倍半硅氧烷。 | ||
| 搜索关键词： | 硼化合物 杂质扩散 杂质扩散层 硅氧烷化合物 扩散 倍半硅氧烷 硅衬底 溶剂 衬底 优选 半导体 外部 | ||
【主权项】：
1.杂质扩散剂组合物，其含有(A)硼化合物、(B)硅氧烷化合物、和(S)溶剂，所述(A)硼化合物具有下式表示的部分结构，[化学式1]![]()
上式中，*为键合于氧原子的化学键的末端。
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- 一种用于装载扩散液态源的源瓶，包括瓶体，该瓶体设置有出口位于所述瓶体底部的进气管和入口位于所述瓶体上部的出气管，其特征在于：所述瓶体的底部设置有集源槽，所述进气管下端的进气孔设置于所述集源槽内；所述瓶体底部设置有加厚部，所述加厚部与所述集源槽位于所述瓶体底部的不同位置。本实用新型瓶底的加厚部抬高了瓶内液体的液面，减少了残留液体的浪费；气体通过两个方向不同的进气孔分流，增大了气体与液体的接触面积，增大了携液量。
- 一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺-201210507985.8
- 罗柯;姜丽丽;王岩;李丽;林洪峰;路忠林;张凤鸣 - 天威新能源控股有限公司
- 2012-12-03 - 2013-02-27 - H01L21/228
- 一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺，包括进舟步骤、沉积步骤、推进步骤和出舟步骤，其特征在于：所述进舟步骤、沉积步骤反应温度均低于800摄氏度。优选的，所述沉积步骤与推进步骤二者至少之一是按温度不同分步进行的。进一步的，所述沉积步骤分为第一步沉积和第二步沉积；所述推进步骤包括第一步推进和第二步推进。优选的，所述进舟步骤和沉积步骤之间还有氧化步骤，所述氧化步骤包括向反应容器内通入氧气。采用本发明所述的低温低表面浓度高方阻扩散工艺，在沉积和扩散步骤相对传统工艺降低了反应温度，从而降低了表面复合速率，同时在多晶硅扩散过程中较低的扩散温度使得杂质更有利于朝吸杂点迁移，进而提高了电池效率。
- 用于扩散磷源的源瓶液位传导温控系统及控制方法-201110223931.4
- 张峰;肖欢;石东益 - 茂迪（苏州）新能源有限公司
- 2011-08-05 - 2013-02-06 - H01L21/228
- 本发明提供一种用于扩散磷源的源瓶液位传导温控方法，包括以下步骤：1）采用传感器模块（2）实时检测源瓶（1）中的液位并获得液位数据；2）建立所述液位数据与所述源瓶内温度的对应关系；3）利用所述液位数据与所述源瓶内温度的对应关系，根据液位的变化调整与所述源瓶连接的控温装置（5），使得所述磷源源瓶中的气态分子密度上升直至不同液位情况下，所述源瓶内的分子密度相近。本发明提高了扩散制程的稳定性，有利于搭配前后端制程。同时不需要对因扩散制程波动而生产出的阻值异常硅片进行重工处理。不需要工程师经常调节炉管各个温区温度，从而可以节省人力。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
