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[发明专利]光电压产生器-CN99119375.X有效
发明人：邱清彰;赖文聪 -专利权人：光磊科技股份有限公司
申请日： 1999-09-13 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种光电压产生器,包含一衬底;一绝缘层,设置在衬底上;第一杂质扩散层,设置在该缘层上;第二杂质扩散层,和第一杂质扩散层在平行于衬底上表面的方向上交互配置,形成多个纵向pn接面;第三杂质扩散层,其一端连接到第二杂质扩散层,而另一端横跨一纵向Pn接面,延伸入第一杂质扩散层;第四杂质扩散层,连接到第一杂质扩散层,且不连接第三杂质扩散层,而第四杂质扩散层至多横跨一纵向pn接面;以及薄膜电极层和隔离层。
电压产生器

[发明专利]半导体器件-CN200410001207.7无效
发明人：本田浩嗣 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-02 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明的半导体器件，包括：形成在N型阱21表面的P型高浓度杂质扩散层25、接着高浓度杂质扩散层25而形成并将高浓度杂质扩散层25包围起来的P型中浓度杂质扩散层26、以及形成为将高浓度P型杂质扩散层25及中浓度P型杂质扩散层26包围起来的元件隔离区域22。高浓度P型杂质扩散层25的杂质浓度比阱21的杂质浓度大，中浓度P型杂质扩散层26的杂质浓度比阱21的杂质浓度大且比高浓度P型杂质扩散层25的杂质浓度小。
半导体器件

[发明专利]抗静电电路的薄膜晶体管及其制造方法-CN96114100.X无效
发明人：郑在宽;朴根雨 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-12-30 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种抗静电电路的薄膜晶体管包括形成于硅衬底上的阱；形成于阱内、用于电极间的电隔离的绝缘层；及分别位于绝缘层间的各低浓度杂质扩散区；形成于一个低浓度杂质扩散区中的第一高浓度杂质扩散区；形成于另一低浓度杂质扩散区中的第二高浓度杂质扩散区；形成于绝缘层和低浓度杂质扩散层上的层间绝缘层；及形成于低浓度杂质扩散区和层间绝缘层上的金属栅极。上述第一高浓度杂质扩散区和第二高浓度杂质扩散区中至少一个从有源区的外边缘向内与有源区重叠。
抗静电电路薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块-CN201380080519.9有效
发明人：田村宣裕;幸畑隼人;浜笃郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b)，该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸，是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域，并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状，该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素，在多个第一n型杂质扩散层(3a)中，随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。
太阳能电池及其制造方法模块

[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法-CN201580081082.X在审
发明人：森川浩昭;滨笃郎;幸畑隼人;过能慎太郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：太阳能电池单元(1)具备p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，第2n型杂质扩散层(12)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms
太阳能电池单元制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03122525.X无效
发明人：土井博之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-04-18 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：稳压元件是由通过由P型硅酮制成的半导体基片11中的元件隔离绝缘膜12区划成的活性区域10的上部形成的、N型杂质高浓度扩散制成的N型杂质扩散层13，和在该N型杂质扩散层13的下面由P型杂质扩散成的P型杂质扩散层N型杂质扩散层13及P型杂质扩散层14是面对半导体基片11平行设置的两层。通过该N型杂质扩散层13和P型杂质扩散层14之间的PN结形成二极管结构。P型杂质扩散层14和元件隔离绝缘膜12相邻接部分的杂质浓度设定成低于在其余的部分的该杂质的浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN200980161091.4有效
发明人：唐木田昇市 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种在半导体基板的一面侧设置了具有栅电极的受光面侧电极的太阳能电池单元的制造方法，包括：第1工序，在第1导电类型的所述半导体基板的一面侧，形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；第2工序，在所述杂质扩散层的面内的多个测定点，测定所述杂质扩散层的薄膜电阻值；以及第3工序，与所述测定出的所述杂质扩散层的表面的薄膜电阻值对应地，将所述杂质扩散层的面内划分为多个区域，针对每个所述区域设定相邻的所述栅电极彼此之间的距离，在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的所述受光面侧电极
太阳能电池单元及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法、太阳能电池组件-CN201280072636.6有效
发明人：西本阳一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述太阳能电池具备：在一面侧具有第2导电型的杂质元素扩散了的杂质扩散层的第1导电型的半导体衬底；在杂质扩散层上形成了的由上述半导体衬底的材料的氧化膜构成的钝化膜；由具有与上述氧化膜不同的折射率的透光性材料构成、在钝化膜上形成了的防反射膜；与杂质扩散层电连接而在半导体衬底的一面侧形成了的受光面侧电极；和在上述半导体衬底的另一面侧形成了的背面侧电极，杂质扩散层包括：为受光区域且以第1浓度含有杂质元素的第1杂质扩散层和为受光面侧电极的下部区域且以比第1浓度高的第2浓度含有杂质元素的第2杂质扩散层，第1杂质扩散层和第2杂质扩散层的表面形成为均匀的表面状态，第2杂质扩散层上的钝化膜的膜厚比第1杂质扩散层上的钝化膜的膜厚还薄。
太阳能电池制造方法组件

[发明专利]光伏装置及其制造方法、光伏模块-CN201280007788.8有效
发明人：滨本哲 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：具备：第1导电类型的硅基板101，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层102；受光面侧电极105，具有与杂质扩散层102电连接并且在硅基板101的一面侧隔开一定的间隔并列配置的多根栅格电极；以及背面侧电极104，形成于硅基板101的另一面侧，杂质扩散层102具有以第1浓度包含杂质元素的第1杂质扩散层102a、和以比第1浓度低的第2浓度包含杂质元素的第2杂质扩散层102b，对于所述第1杂质扩散层102a，将在所述硅基板的一面侧与受光面侧电极105的栅格电极的长度方向垂直的方向设为长度方向，并且第1杂质扩散层102a相对带状区域的面积比率是50%以下，其中将第1杂质扩散层102a中的与栅格电极的长度方向平行的方向的最大宽度设为所述带状区域的均等宽度，并且所述带状区域的长度方向的长度与第1杂质扩散层102a的长度方向的长度相同。
装置及其制造方法模块

[发明专利]杂质扩散成分的扩散方法及太阳能电池的制造方法-CN201310314026.9在审
发明人：神园乔;高桥元树;森田敏郎 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的方式的杂质扩散成分的扩散方法，包括：在半导体基板的表面上形成包含第1导电型的杂质扩散成分的第1扩散剂层的工序；对第1扩散剂层进行烧成的工序；在除了形成有第1扩散剂层的区域以外的半导体基板的表面上，形成包含第2导电型的杂质扩散成分的第2扩散剂层的工序；和在高于烧成温度的温度下加热半导体基板，使第1导电型的杂质扩散成分和第2导电型的杂质扩散成分向半导体基板扩散的工序。
杂质扩散成分方法太阳能电池制造

[发明专利]扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法、以及太阳能电池-CN201080036913.9有效
发明人：平井隆昭;室田敦史;谷津克也 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种扩散剂组合物，含有：杂质扩散成分(A)、在低于所述杂质扩散成分(A)开始热扩散的温度的温度下热分解而消失的粘合剂树脂(B)、SiO2微粒(C)、和包含沸点为100℃以上的有机溶剂(D1)的有机溶剂(一种杂质扩散层的形成方法，包括：在半导体基板上印刷所述的扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序，使所述扩散剂组合物的杂质扩散成分(A)向所述半导体基板扩散的扩散工序。以及一种太阳能电池，其具备利用所述的杂质扩散层的形成方法形成了杂质扩散层的半导体基板。
扩散组合杂质形成方法以及太阳能电池

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201210265575.7有效
发明人：石黑哲郎;山田敦史 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层，第一半导体层包含杂质元素；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层；以及形成在第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极。在半导体器件中，第二半导体层包括杂质扩散区，包含在第一半导体层中的杂质元素扩散在杂质扩散区中，杂质扩散区位于栅电极正下方并且与第一半导体层接触，并且杂质元素使杂质扩散区成为p型杂质扩散区。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法-CN201980078538.5在审
发明人：弓场智之;门田祥次;守屋豪 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供无需复杂的装置、能够利用简便的方法制造具有选择性发射极结构的太阳能电池、杂质浓度的面内均匀性优异的半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法。用于达到上述目的的本发明为一种半导体元件的制造方法，该制造方法在半导体基板上以2个水平以上的不同杂质浓度形成相同类型的杂质扩散层区域，其中，至少1个水平以上的杂质扩散层区域通过包括：将杂质扩散组合物(a)涂布至半导体基板而部分地形成杂质扩散组合物膜(b)的工序；和将其加热以使杂质扩散至半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)的工序的方法形成，杂质扩散组合物(a)包含(a‑1)具有特定结构的硅烷化合物的聚合物和(a‑2)杂质扩散成分。
半导体元件制造方法太阳能电池

[发明专利]半导体器件-CN201510795235.9有效
发明人：俞在炫;卢镇铉;金寿台;李炳烈;张成熏;全钟声 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。
半导体器件

[发明专利]带有低电阻连接电极半导体器件的制造方法-CN98106430.2无效
发明人：佐藤俊一郎;津田浩嗣 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-02-11 - 公布日： 1998-10-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法包括在半导体基片上形成一个杂质扩散层的步骤,形成一种绝缘膜覆盖杂质扩散层,而后在绝缘膜中形成开口延伸到杂质扩散层表面的步骤,和在开口中形成电极导体膜的步骤,进一步包括下述步骤,在开口中形成电极导体膜之前,进行离子注入用于扰动暴露在开口底部中杂质扩散层表面上和它附近的结晶度,和根据离子注入,进行退火用于还原杂质扩散层表面上和它附近的结晶度以激活杂质的步骤。
带有电阻连接电极半导体器件制造方法

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