[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810706688.3 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110676319A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李一凡;苏柏青;刘承佳;易延才;蔡纬撰;吴志强;陈俤彬;曾景助 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的结构包括:栅极结构设置在基板上。间隙壁设置在所述栅极结构的侧壁，其中所述间隙壁是l‑状结构。第一掺杂区域位于所述基板中，在所述栅极结构的两边。第二掺杂区域位于所述基板中，在所述栅极结构的两边，与所述第一掺杂区域重叠。硅化物层设置在所述基板上，且在所述第二掺杂区域内，与所述间隙壁分离一距离。介电层覆盖过所述第二掺杂区域以及具有所述间隙壁的所述栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 栅极结构 间隙壁 基板 半导体元件 两边 硅化物层 介电层 侧壁 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的结构，其特征在于，包括:/n栅极结构，设置在基板上；/n间隙壁，在所述栅极结构的侧壁，其中所述间隙壁是l-状结构；/n第一掺杂区域，于所述基板中，在所述栅极结构的两边；/n第二掺杂区域，于所述基板中，在所述栅极结构的两边，与所述第一掺杂区域重叠；/n硅化物层，设置于所述基板上，且在所述第二掺杂区域内，与所述间隙壁分离一距离；以及/n介电层，覆盖过所述第二掺杂区域以及具有所述间隙壁的所述栅极结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810706688.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法
- 下一篇：沟槽MOSFET及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
