[发明专利]形成硅锗锡层的方法和相关的半导体器件结构在审
| 申请号： | 201810651690.5 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109216158A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | N·巴尔加瓦;J·玛格蒂斯;J·托勒 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/10;H01L29/161;H01L29/78;H01L31/028;H01L33/06;H01L33/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;乐洪咏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种形成硅锗锡(SiGeSn)层的方法。所述方法可包括：在反应室内提供衬底，暴露衬底于包含四氯化锡(SnCl4)的预沉积前体脉冲，暴露衬底于包含氢化硅源、甲锗烷(GeH4)和四氯化锡(SnCl4)的沉积前体气体混合物，和在衬底的表面上方沉积硅锗锡(SiGeSn)层。还提供了半导体器件结构，其包含通过本公开的方法形成的硅锗锡(SiGeSn)层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 硅锗 半导体器件结构 四氯化锡 气体混合物 沉积前体 甲锗烷 氢化硅 预沉积 暴露 脉冲 前体 锡层 沉积 室内 | ||
【主权项】：
1.一种形成硅锗锡(SiGeSn)层的方法，所述方法包括：在反应室内提供衬底；暴露所述衬底于包含四氯化锡(SnCl4)的预沉积前体脉冲；暴露所述衬底于沉积前体气体混合物，所述沉积前体气体混合物包含：氢化硅源、甲锗烷(GeH4)和四氯化锡(SnCl4)；和在所述衬底的表面上方沉积所述硅锗锡(SiGeSn)层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司，未经ASMIP控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810651690.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
