[发明专利]扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置有效
| 申请号： | 201810579807.3 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807253B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 岩永有辉启;铃村浩二;作田竜弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛海蛟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其工序中具有扩展方法，所述扩展方法包含以下工序：在沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片上使用切割芯片焊接一体型片材，准备具有半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，扩大芯片的间隔的工序(IIC)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
