[发明专利]一种自支撑Ga2O3薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810549907.1 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108660417A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 唐为华;王霞 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;陈征 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自支撑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述制备方法具体为：在衬底上生长一层Sr3Al2O6薄膜后，再在所述Sr3Al2O6薄膜上生长一层Ga2O3薄膜；将覆有两层薄膜的衬底放入水中，待Sr3Al2O6薄膜溶解后，分离衬底和Ga2O3薄膜，即得自支撑Ga2O3薄膜。本发明所述的制备方法工艺可控性强，易操作；本发明所制得的自支撑Ga2O3薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 自支撑 制备 衬底 制备方法工艺 致密 薄膜表面 薄膜溶解 厚度稳定 可控性 生长 放入 均一 两层 水中 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于，在衬底上生长一层Sr3Al2O6薄膜后，再在所述Sr3Al2O6薄膜上生长一层Ga2O3薄膜；将覆有两层薄膜的衬底放入水中，待Sr3Al2O6薄膜溶解后，分离衬底和Ga2O3薄膜，即得自支撑Ga2O3薄膜。
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