[发明专利]具有栅极堆叠中的隧道二极管的IIIA族氮化物HEMT在审
| 申请号： | 201810413452.0 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807527A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | C·S·旭;D·S·李;J·约翰;N·特珀尔内尼;S·P·鹏德哈卡 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及具有栅极堆叠中的隧道二极管的IIIA族氮化物HEMT。一种增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)(150)包括：衬底(102)、衬底上的IIIA族氮化物有源层(104)、有源层上的IIIA族氮化物阻挡层(106)以及至少一个隔离区域(115)，该隔离区域穿过阻挡层以在有源层上提供具有阻挡层的隔离有源区。阻挡层上存在p型GaN层(116)。栅极堆叠中的隧道二极管(110)包括n型GaN层(110b)、InGaN层(110a)和p型GaN层，其中InGaN层在p型GaN层上，n型GaN层在InGaN层上。栅电极(114)在n型GaN层上方。具有漏极触点的漏极(120)位于阻挡层上以提供对有源层的接触，并且具有源极触点的源极(122)位于阻挡层上以提供对有源层的接触。隧道二极管提供栅极触点以消除直接对p型GaN层形成栅极触点的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 源层 隧道二极管 栅极堆叠 隔离区域 栅极触点 衬底 增强型高电子迁移率晶体管 隔离有源区 漏极触点 源极触点 栅电极 漏极 源极 穿过 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上形成增强型高电子迁移率晶体管即E型HEMT的方法，其包含：在所述衬底上提供有源层，在所述有源层上提供IIIA族氮化物阻挡层，在所述IIIA族氮化物阻挡层上提供p型GaN层，在所述p型GaN层上提供InGaN层，在所述InGaN层上提供n型GaN层；形成至少一个隔离区域，所述至少一个隔离区域穿过所述n型GaN层、所述InGaN层、所述p型GaN层和所述阻挡层以在所述有源层上提供包含所述阻挡层的至少一个隔离有源区；通过对所述InGaN层上的所述n型GaN层图案化以限定隧道二极管；在所述n型GaN层上方形成栅电极；在所述阻挡层上形成具有漏极触点的漏极以提供对所述有源层的接触；以及在所述阻挡层上形成具有源极触点的源极以提供对所述有源层的接触。
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