[发明专利]功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法

摘要

本发明公开了功率半导体器件和用于形成功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件包括布置在半导体衬底的功率器件区中的至少一个功率晶体管。功率半导体器件进一步包括布置在半导体衬底的第一电路区中的第一电路。功率半导体器件进一步包括布置在半导体衬底的第二电路区中的第二电路。半导体衬底的第一电路区被布置在半导体衬底的第一边缘处。半导体衬底的第二电路区被布置在半导体衬底的第二边缘处。功率器件区被布置在第一电路区和第二电路区之间。

主权项

1.一种功率半导体器件（100、200、300、400、500、600、700、800），包括：布置在半导体衬底（103）的功率器件区（102）中的至少一个功率晶体管（101）；布置在半导体衬底（103）的第一电路区（106）中的第一电路（105）；以及布置在半导体衬底（103）的第二电路区（108）中的第二电路（107），其中，半导体衬底（103）的第一电路区（106）布置在半导体衬底（103）的第一边缘（109）处，其中，半导体衬底（103）的第二电路区（108）布置在半导体衬底（103）的第二边缘（111）处，以及其中，功率器件区（102）被布置在第一电路区（106）和第二电路区（108）之间。