[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810362535.1 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108584863A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙福河;刘琛;周延青;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种MEMS器件，其中，包括：衬底，衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上；第一振膜层，位于第一牺牲层上，第一振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一振膜层上；背极板层，位于第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，使得背极板层与所述第一振膜层形成第一电容器；第三牺牲层，位于背极板层上；第二振膜层，位于第三牺牲层上，第二振膜层的至少一部分由第三牺牲层支撑，使得第二振膜层与背极板层形成第二电容器。通过将背极板层放置在第一振膜层以及第二振膜层之间，可以减少外界环境对背极板层的污染，并且所形成的两个可变电容器组成差分式电容结构，从而提高MEMS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 振膜层 背极板 衬底 支撑 电容器 第一电容器 可变电容器 第一空腔 电容结构 外界环境 差分式 污染 制造 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，其中，包括：衬底，所述衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底上，所述第一牺牲层中具有第二空腔；第一振膜层，位于所述第一牺牲层上，所述第一振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述第一振膜层上，所述第二牺牲层中具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由所述第二牺牲层支撑，使得所述背极板层与所述第一振膜层形成第一电容器；第三牺牲层，位于所述背极板层上，所述第三牺牲层中具有第四空腔；第二振膜层，位于所述第三牺牲层上，所述第二振膜层的至少一部分由所述第三牺牲层支撑，使得所述第二振膜层与所述背极板层形成第二电容器，其中，所述MEMS器件还包括用于限定所述第二至第四空腔至少之一的横向尺寸的多个停止层。
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