[发明专利]一种原子层沉积设备及气体传输方法有效
申请号: | 201810361982.5 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN110387537B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 徐宝岗 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积设备及气体传输方法。该设备包括旁通管路和冷却管路,所述冷却管路用于冷凝且存储至少一种前驱体,其中,所述旁通管路和所述冷却管路并联后连接在前驱体输入端和前驱体输出端之间,且所述前驱体输入端选择性地与所述旁通管路或所述冷却管路连通。本发明通过设置冷却管路以冷凝流经管路的前驱体,并将其存储在该段管路中,以防止多种前驱体同时进入真空泵,减少了真空泵中因多种前驱体的反应而产生粉末,降低了真空泵因粉末累积而发生卡死的风险,从而提高了真空泵运行的可靠性和寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 气体 传输 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括旁通管路和冷却管路,所述冷却管路用于冷凝且存储至少一种前驱体,其中,所述旁通管路和所述冷却管路并联后连接在前驱体输入端和前驱体输出端之间,且所述前驱体输入端选择性地与所述旁通管路或所述冷却管路连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的