[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201810347403.1 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN108598251B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 全水根;金太贤;金太进;百成皓;崔日均;晋根模 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/08;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层；第一电极，形成在非导电性反射膜，与第一半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，在非导电性反射膜上与第一电极相对形成，与第二半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，其以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上；第一电极，其形成在非导电性反射膜上，与第一半导体层电气性地连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其在非导电性反射膜上与第一电极相对地形成，与第二半导体层电气性地连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，将第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。
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