[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：

多个半导体层，它们包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；

非导电性反射膜，其以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并且包括分布布拉格反射器；

第一电极，其形成在非导电性反射膜上，与第一半导体层电气性地连通，供给电子和空穴中的一个；及

第二电极，其在非导电性反射膜上与第一电极相对地形成，与第二半导体层电气性地连通，供给电子和空穴中的另一个，

第一电极及第二电极包括反射金属层，

第一电极及第二电极覆盖非导电性反射膜，

为了减少包括反射金属层的第一电极及第二电极覆盖非导电性反射膜的位置处的光的损失，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，将第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下，

第一电极与第二电极之间的间隔为400μm以下，

该半导体发光元件包括：第一电连接，其通过形成在非导电性反射膜上的开口而将第一电极和第一半导体层电连接；及第二电连接，其通过形成在非导电性反射膜上的另外的开口而将第二电极和第二半导体层电连接，

该半导体发光元件包括：第一下部电极，其形成于通过台面蚀刻而露出的第一半导体层，并连接于第一电连接；及第二下部电极，其在多个半导体层与非导电性反射膜之间连接于第二电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

第一电极及第二电极中的至少一个包括在非导电性反射膜上彼此离开的多个子电极。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

在将晶片状态的多个半导体发光元件分离成单独的各个半导体发光元件时，生长衬底的侧表面、多个半导体层的侧表面及与多个半导体层的边缘对应的第一电极及第二电极的侧表面构成切割面。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，

多个子电极包括：凸台状子电极；及长幅延伸的延伸式子电极。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

该半导体发光元件包括：

绝缘膜，其形成在非导电性反射膜与第一电极及第二电极之间；

第一连接电极及第二连接电极，它们形成在非导电性反射膜与绝缘膜之间；

第一上部电连接，其贯穿绝缘膜而与第一连接电极连接；及

第二上部电连接，其贯穿绝缘膜而与第二连接电极连接，

第一电连接将第一连接电极和第一半导体层电连接，第二电连接将第二连接电极和第二半导体层电连接。