[发明专利]一种功率半导体芯片集成元胞栅电阻版图设计有效
| 申请号： | 201810339861.0 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108550567B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;张璧君;吴鹏飞;金锐;潘艳;温家良;吴军民;田丽欣 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件，包括功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极区和元胞区，其特征在于：所述元胞区内并联设置多个元胞，所述元胞包括元胞栅焊盘、元胞栅以及设置在元胞栅焊盘和元胞栅之间的第一电阻单元，所述栅极区内设置有栅电极和栅汇流条，每个元胞的所述元胞栅焊盘依次连接所述栅汇流条。本发明的功率半导体器件在每个元胞的元胞栅与该元胞的元胞栅焊盘之间引入元胞栅电阻，提高芯片内元胞之间的动态一致性，改善芯片内的均流特性。选择所述元胞栅电阻阻值大于所述汇流条寄生电阻阻值，能够进一步降低汇流条寄生电阻的影响，较好地提高芯片元胞之间动态一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 集成 元胞栅 电阻 版图 设计 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极区和元胞区，其特征在于：所述元胞区内并联设置多个元胞，所述元胞包括元胞栅焊盘、元胞栅以及设置在元胞栅焊盘和元胞栅之间的第一电阻单元，所述栅极区内设置有栅电极和栅汇流条，每个元胞的所述元胞栅焊盘依次连接所述栅汇流条。
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