[发明专利]一种半导体桥芯片及其封装结构在审
| 申请号： | 201810310798.8 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108426489A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王宽厚;赵伟红;董振斌;陈坚 | 申请（专利权）人： | 陕西航晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13;F42B33/02;H01L23/49 |
| 代理公司： | 西安毅联专利代理有限公司 61225 | 代理人： | 杨燕珠 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市航天基地*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体桥芯片及其封装结构，其中半导体桥芯片，其特征在于，包括：位于半导体桥芯片的底层的单晶硅层；在所述单晶硅的上表面氧化形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层的部分区域设置有多晶硅层；所述多晶硅层上覆盖有金属电极；还包括贯穿所述多晶硅层、二氧化硅层以及单晶硅层的通孔，所述通孔内设置有金属导电区，所述金属导电区将金属电极获得的电信号传递至整个通孔。该芯片能够与电极塞垂直连接，取消焊线，使药剂与半导体桥紧密接触，提高半导体桥火工品的可靠性，并且可采用半导体工艺大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体桥 芯片 二氧化硅层 多晶硅层 通孔 金属导电区 单晶硅层 封装结构 金属电极 半导体工艺 电信号传递 单晶硅 垂直连接 区域设置 电极塞 火工品 上表面 焊线 贯穿 覆盖 生产 | ||
【主权项】：
1.一种半导体桥芯片，其特征在于，包括：位于半导体桥芯片的底层的单晶硅层；在所述单晶硅的上表面氧化形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层的部分区域设置有多晶硅层；所述多晶硅层上覆盖有金属电极；还包括贯穿所述多晶硅层、二氧化硅层以及单晶硅层的通孔，所述通孔内设置有金属导电区，所述金属导电区将金属电极获得的电信号传递至整个通孔。
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- 前田繁;椋木大刚;小池英幸 - 日本化药株式会社
- 2007-10-26 - 2009-11-04 - F42B3/13
- 一种点火装置，具有SCB芯片及电容器，该SCB芯片连接于电极引脚并通过来自外部的通电来进行点火，该电容器相对于该电极引脚而与SCB芯片上的薄膜电阻电性并联连接，此点火装置中，将该电容器载置于该顶盖上，并且在该电容器上直接搭载SCB芯片，该SGB芯片上的薄膜电阻与该电容器经由SCB芯片的基板所设的电极而电性连接，并且使该SCB芯片的尺寸小于该电容器的尺寸，由此，能有利地消除设置电容器时的表面凹凸，并且通过1次回流(reflow)处理便可实现针对电极引脚的SCB芯片与电容器的连接，进而能够使用比先前更小的SCB芯片。
- 半导体电阻桥电极塞-200820035298.X
- 周彬;秦志春;徐振相 - 南京理工大学
- 2008-05-08 - 2009-06-24 - F42B3/13
- 本实用新型公开了一种半导体电阻桥电极塞。该电极塞将半导体桥芯片用环氧胶粘结在环氧树脂基板上，该半导体桥芯片上的两个电极分别用金属丝与环氧树脂基板上的两个基板电极相连；将环氧树脂基板装在聚乙烯塑料塞顶端，突出于聚乙烯塑料塞上的两根脚线上端穿入已封装半导体桥芯片的环氧树脂基板的两个电极孔中，锡焊连接两根脚线与环氧树脂基板上的两个基板电极，使两根脚线与半导体桥芯片构成电通路。本实用新型具有良好的抗电磁波、杂散电流和静电的性能，但在作用时又具有作用迅速、可靠性好的特点。
- 专利分类
