[发明专利]晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810251454.4 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108447907A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 魏进;金峻渊 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及其制备方法，属于晶体管(尤其是氮化镓晶体管)技术领域，其可至少部分解决现有的设有P型帽层的晶体管随着使用会出现特性退化、可靠性变差的问题。本发明的晶体管包括：叠置的沟道层和势垒层；在势垒层远离沟道层一侧间隔设置的源极、漏极、栅极；其中，栅极位于源极、漏极间，且与势垒层间设有P型帽层，P型帽层与栅极间形成肖特基接触；所述P型帽层靠近源极和漏极的两侧边缘区为两个相互间隔的电场调制区，所述电场调制区在正栅源电压下能感应出正电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 势垒层 漏极 电场调制 沟道层 源极 制备 氮化镓晶体管 肖特基接触 间隔设置 两侧边缘 栅源电压 靠近源 正电荷 变差 叠置 退化 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：叠置的沟道层和势垒层；在势垒层远离沟道层一侧间隔设置的源极、漏极、栅极；其中，栅极位于源极、漏极间，且与势垒层间设有P型帽层，P型帽层与栅极间形成肖特基接触；其特征在于，所述P型帽层靠近源极和漏极的两侧边缘区为两个相互间隔的电场调制区，所述电场调制区在正栅源电压下能感应出正电荷。
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