[发明专利]半导体装置及电力变换装置

摘要

本发明的目的是提供可不依赖于寿命控制而对VF‑EREC折衷特性进行调整的半导体装置以及具有该半导体装置的电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具有n型阴极层(5)、p型阴极层(6)及包含施主杂质及受主杂质的p‑型阳极层(3)，n型阴极层(5)的厚度大于等于p型阴极层(6)的厚度，p型阳极层(2)的厚度大于等于p‑型阳极层(3)的厚度，n型阴极层(5)的施主杂质浓度大于等于p型阴极层(6)的受主杂质浓度，p型阳极层(2)的受主杂质浓度大于等于p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度，p‑型阳极层(3)的受主杂质浓度大于等于p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度，p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度大于等于n‑型漂移层(1)的施主杂质浓度。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：n型漂移层；第一p型阳极层，其设置于所述n型漂移层的表面；至少1个第二p型阳极层，其选择性地设置于所述第一p型阳极层的表面，包含施主杂质以及受主杂质，且与所述第一p型阳极层相比受主杂质浓度低；n型缓冲层，其设置于所述n型漂移层的背面；以及n型阴极层以及p型阴极层，它们以在俯视观察时彼此相邻的方式设置于所述n型缓冲层的表面，所述n型阴极层的厚度大于或者等于所述p型阴极层的厚度，所述第一p型阳极层的厚度大于或等于所述第二p型阳极层的厚度，所述n型阴极层的施主杂质浓度大于或等于所述p型阴极层的受主杂质浓度，所述第一p型阳极层的受主杂质浓度大于或等于所述第二p型阳极层的施主杂质浓度，所述第二p型阳极层的受主杂质浓度大于或等于所述第二p型阳极层的施主杂质浓度，所述第二p型阳极层的施主杂质浓度大于或等于所述n型漂移层的施主杂质浓度。