[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法、化学机械研磨方法及系统，包括如下步骤：1）量测目标材料层的前值厚度，依据目标材料层的前值厚度及第一阶段化学机械研磨后保留的目标材料层厚度确定第一目标去除厚度；2）依据研磨耗材的实际使用时间确定理论研磨速率；3）依据第一目标去除厚度及理论研磨速率动态修正研磨参数，依据该研磨参数对目标材料层进行第一阶段化学机械研磨；4）对目标材料层进行第二阶段化学机械研磨，达到第二目标去除厚度的去除。本发明通过收集目标材料层的目标去除厚度并结合研磨耗材的实际使用时间来确定研磨参数，提升了研磨的平坦化效果，消除了化学机械研磨后的目标材料层残留，提高了良品率。

主权项

1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨方法用于目标材料层的去除，所述目标材料层的一次化学机械研磨过程包括第一阶段化学机械研磨及第二阶段化学机械研磨两个阶段，所述化学机械研磨方法包括如下步骤：1)量测所述目标材料层的前值厚度，依据所述目标材料层的前值厚度及所述第一阶段化学机械研磨后保留的所述目标材料层的厚度确定所述目标材料层的第一目标去除厚度；2)依据研磨耗材的使用寿命及实际使用时间确定所述研磨耗材在所述实际使用时间下的理论研磨速率；3)依据所述第一目标去除厚度及所述研磨耗材在所述实际使用时间下的理论研磨速率动态修正研磨参数，依据所述研磨参数对所述目标材料层进行所述第一阶段化学机械研磨，以使得所述目标材料层达到所述第一目标去除厚度的去除，且确保所述第一阶段化学机械研磨后保留的所述目标材料层具有平坦上表面且在一固定膜厚范围中，所述固定膜厚范围介于1000埃～1600埃；及，4)对所述目标材料层进行所述第二阶段化学机械研磨，以使得所述目标材料层达到第二目标去除厚度的去除。