[发明专利]宽带隙半导体装置在审
| 申请号： | 201780097069.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111406323A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 中村俊一 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的宽带隙半导体装置，包括：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由设置在所述漂移层12上的第二导电型构成的阱区20；设置在所述阱区20上的多晶硅层150；设置在所述多晶硅层150上的层间绝缘膜65；设置在所述层间绝缘膜65上的栅极衬垫120；以及与所述多晶硅层150电气连接的源极衬垫110。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社，未经新电元工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780097069.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分辨率调整方法及相关产品
- 下一篇：光敏成像系统和设备
- 同类专利
- 专利分类
