[发明专利]晶片级封装和方法有效
| 申请号： | 201780051429.5 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109937476B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 乔治·楚 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/485;H01L23/525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;高伟 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种铜柱凸块半导体封装方法将形成在铜柱凸块下方的有机绝缘层仅图案化到围绕铜柱凸块和在铜柱凸块附近的区域。通常为薄膜聚合物层的有机绝缘层用作铜柱凸块的阻挡层，以在铜柱倒装芯片接合工艺期间保护半导体晶片。铜柱凸块半导体封装方法限制了施加有机绝缘层的区域，以减少由有机绝缘层引入到半导体晶片的应力。在另一个实施例中，一种铜柱凸块半导体封装方法将形成在铜柱凸块下方的有机绝缘层图案化到围绕铜柱凸块并沿着再分布层的路径的区域，而不使用大的且连续的有机绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成铜柱凸块半导体封装的方法，包括：提供成品半导体晶片，所述成品半导体晶片包括半导体基板，所述半导体基板上形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体基板的顶表面并暴露接合焊盘；在所述半导体晶片上形成有机绝缘层；图案化所述有机绝缘层以覆盖位于所述接合焊盘与所述钝化层的界面处的区域，所述有机绝缘层被去除以暴露所述接合焊盘并且被从所述半导体晶片的剩余区域去除；在所述有机绝缘层和所述半导体晶片上形成种子金属层；在所述接合焊盘上方在所述种子金属层上形成铜柱凸块；去除未形成在所述铜柱凸块下方的所述种子金属层；以及回流焊所述铜柱凸块。
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