[实用新型]声表面波器件气密性晶圆级封装结构有效

专利信息
申请号: 201721882163.2 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN207559959U 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 米佳;朱勇;冷俊林;陶毅 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: H03H9/10 分类号: H03H9/10
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李海华
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型公开了一种声表面波器件气密性晶圆级封装结构,在功能芯片工作面的外围镀有一圈键合层金属,封盖晶圆上与每块芯片键合层金属对应位置分别镀有一圈键合层金属,功能芯片与封盖晶圆通过金‑金键合或者共晶键合对应结合在一起;在封盖晶圆背向功能芯片工作面那面设有外部电路布线结构和外电极;在外电极上制作有外部焊球;封盖晶圆上设有导通孔以将功能芯片工作面电路依次通过导通孔、外部电极和外部焊球电连接。本实用新型能够实现高芯片剪切强度、散热性好、封装内部气氛可控的晶圆级(WLP)声表面波器件的气密性封装,具有可靠性高的特点。
搜索关键词: 功能芯片 封盖 晶圆 声表面波器件 晶圆级封装结构 本实用新型 导通孔 气密性 外电极 金属 焊球 合层 圈键 气密性封装 芯片键合层 布线结构 共晶键合 散热性好 外部电极 外部电路 电连接 晶圆级 可控的 外部 键合 封装 电路 外围 芯片 制作
【主权项】:
1.声表面波器件气密性晶圆级封装结构,包括功能芯片和封盖晶圆,其特征在于:在功能芯片工作面的外围镀有一圈键合层金属,封盖晶圆上与每块芯片键合层金属对应位置分别镀有一圈键合层金属,功能芯片与封盖晶圆上的键合层金属通过金‑金键合或者共晶键合对应结合在一起;在封盖晶圆背向功能芯片工作面那面设有外部电路布线结构和外电极;在外电极上制作有外部焊球;封盖晶圆上设有导通孔以将功能芯片工作面电路依次通过导通孔、外部电极和外部焊球电连接;封盖晶圆和功能芯片上的键合层金属宽度为20‑30微米。
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  • 一种石英晶体谐振器-201520260606.9
  • 唐志强 - 唐志强
  • 2015-04-27 - 2015-09-02 - H03H9/10
  • 本实用新型公开了一种石英晶体谐振器,包括石英晶片、基座和与其密封配合的上盖,所述石英晶片位于基座与上盖形成的密封空腔内,所述基座与上盖的接触面处设有定位结构。所述定位结构包括设在基座上表面的下凹沟槽,和设在上盖下表面的与该下凹沟槽相匹配的凸起。本实用新型通过采用定位结构,使上盖与基座可以准确定位,简化装配过程,防止上盖与基座错位导致的谐振器外观不良和品质不良;该定位结构还增加了基座与粘接胶、粘接胶与上盖之间的接触面积,从而提高粘接的牢固度,又能防止粘接胶的流失,增加了上盖与基座的联结强度,改善了封装后的晶体谐振器的抗跌落性、抗震性,提高了产品的可靠性和封装合格率,有广泛的市场应用前景。
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