[实用新型]一种CIS芯片的封装结构有效
申请号: | 201721016520.7 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN207052606U | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 任玉龙;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种CIS芯片的封装结构,涉及半导体技术领域,该封装结构包括透明载片;CIS芯片晶圆,其焊盘和感光区设置于CIS芯片晶圆的第一表面;围堰,设置于CIS芯片晶圆的第一表面和透明载片的第一表面之间,与CIS芯片晶圆的第一表面、透明载片的第一表面形成封闭空腔;金属线路层,设置于CIS芯片晶圆的第二表面,金属线路层通过贯穿CIS芯片晶圆的金属导线与CIS芯片晶圆第一表面的焊盘连接;绝缘层,设置于金属线路层表面。本实用新型通过贯穿CIS芯片晶圆的金属导线连接CIS芯片晶圆第二表面的金属线路层与CIS芯片晶圆的焊盘,将电信号引出到CIS芯片晶圆的第二表面。该封装结构不会产生较大机械应力,从而不会形成隐裂;焊盘与晶圆连接强度高,不易变形。 | ||
搜索关键词: | 一种 cis 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种CIS芯片的封装结构,其特征在于,包括:透明载片;CIS芯片晶圆,其焊盘和感光区设置于所述CIS芯片晶圆的第一表面;围堰,设置于所述CIS芯片晶圆的第一表面和所述透明载片的第一表面之间,与所述CIS芯片晶圆的第一表面、所述透明载片的第一表面形成封闭空腔;金属线路层,设置于所述CIS芯片晶圆的第二表面,所述金属线路层通过贯穿所述CIS芯片晶圆的金属导线与所述CIS芯片晶圆第一表面的焊盘连接;绝缘层,设置于所述金属线路层表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721016520.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的