[实用新型]版图结构以及半导体结构有效
| 申请号： | 201720105045.4 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206672933U | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 杨嘉栋;杨家奇;李炳云;刘文华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种版图结构以及半导体结构，所述版图结构包括多个深阱区、多个第一掺杂区、有源区和多个栅极区；所述第一掺杂区在第一方向延伸，所述深阱区在第二方向延伸，多个所述第一掺杂区和多个所述深阱区相互垂直排列，每个所述第一掺杂区中具有至少一所述栅极区，所述栅极区在第一方向延伸；以及位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区中设置有所述有源区；和/或，位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间设置有所述有源区。根据所述版图结构制备的器件结构的可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 结构 以及 半导体 | ||
【主权项】：
一种版图结构，其特征在于，包括：多个深阱区、多个第一掺杂区、有源区和多个栅极区，所述深阱区为第一掺杂类型，所述第一掺杂区为第二掺杂类型；所述第一掺杂区在第一方向延伸，所述深阱区在第二方向延伸，多个所述第一掺杂区和多个所述深阱区相互垂直排列，每个所述第一掺杂区中具有至少一所述栅极区，所述栅极区在第一方向延伸；以及位于两个相邻所述第一掺杂区之间的所述深阱区中设置有所述有源区；和/或，位于两个相邻所述第一掺杂区之间且位于两个相邻所述深阱区之间设置有所述有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
