[发明专利]导电框架及功率半导体串联结构在审
| 申请号： | 201711421677.2 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN107946276A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈文彬;罗小春 | 申请（专利权）人： | 深圳市矽莱克半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 石佩 |
| 地址： | 518048 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电框架及功率半导体串联结构，所述导电框架包括相互绝缘间隔排列的第一导电框架、第二导电框架和第三导电框架，所述第二导电框架包括第二芯片区、由所述第二芯片区延伸出的第二引脚以及第一固线区，所述第一固线区位于所述第二芯片区背离所述第二引脚的一侧，所述第二芯片区与所述第一固线区之间具有凹陷结构，所述凹陷结构能够容纳所述第二芯片区及/或所述第一固线区焊接作业时多余的焊料。本发明利用焊接芯片区域的一端作为固线区域，节省空间，有效增加了该导电框架可焊接芯片的面积，同时，设计出位于焊接芯片区域和固线区域之间的凹陷结构，使得焊接作业和固线作业互不影响，保证了焊接能力和固线能力的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 框架 功率 半导体 串联 结构 | ||
【主权项】：
一种导电框架，用于串联半导体芯片，所述导电框架包括第一导电框架、第二导电框架和第三导电框架，所述第一导电框架、所述第二导电框架和所述第三导电框架相互绝缘间隔排列，其特征在于：所述第一导电框架包括第一芯片区和由所述第一芯片区延伸出的第一引脚；所述第二导电框架包括第二芯片区、由所述第二芯片区延伸出的第二引脚以及第一固线区，所述第一固线区位于所述第二芯片区背离所述第二引脚的一侧，所述第二芯片区与所述第一固线区之间具有凹陷结构，所述凹陷结构能够容纳所述第二芯片区及/或所述第一固线区焊接作业时多余的焊料；所述第三导电框架包括第二固线区和由第二固线区延伸出的第三引脚。
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