[发明专利]具有等离子体钝化层的GaNHEMT及制备方法有效
| 申请号： | 201711408893.3 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108091687B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王荣华 | 申请（专利权）人： | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开一种具有等离子体钝化层的GaNHEMT，由下至上依次为衬底、缓冲层、GaN或InGaN沟道层及In |
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| 搜索关键词： | 具有 等离子体 钝化 ganhemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有等离子体钝化层的GaNHEMT，由下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、GaN或InGaN沟道层（3）及Inx Aly Ga1-x-y N势垒层（4），所述Inx Aly Ga1-x-y N势垒层边缘（4）有隔离区（5），在隔离区（5）之内有源区的Inx Aly Ga1-x-y N势垒层表面有源电极（6）、漏电极（7）及栅电极（8），其特征在于：所述Inx Aly Ga1-x-y N势垒层（4）上有等离子体钝化层（9）。
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