[发明专利]包括着落垫的半导体器件有效
| 申请号： | 201711404541.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109962052B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金大益 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于衬底的上表面的第一方向在衬底上延伸的多个导电线结构；在衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；着落垫绝缘图案，其围绕所述多个着落垫的至少一部分，并且将所述多个着落垫当中的第一着落垫与邻近于第一着落垫的第二着落垫电分离；以及导电阻挡层，其在所述多个导电线结构与所述多个着落垫之间，其中阻挡底切区域形成在着落垫绝缘图案和导电阻挡层彼此接触的部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 着落 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于所述衬底的上表面的第一方向在所述衬底上延伸的多个导电线结构；在所述衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到所述有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；着落垫绝缘图案，其围绕所述多个着落垫的至少一部分并将所述多个着落垫当中的第一着落垫与邻近于所述第一着落垫的第二着落垫电分离；以及导电阻挡层，其在所述多个导电线结构与所述多个着落垫之间，其中阻挡底切区域形成在所述着落垫绝缘图案和所述导电阻挡层彼此接触的部分中。
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