[发明专利]基于GaN材料的垂直结构双色LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201711382279.4 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108123013A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于GaN材料的垂直结构双色LED及其制备方法，该制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底上制作蓝光外延层；(c)在所述蓝光外延层中制作黄光外延层；(d)在所述蓝光外延层与所述黄光外延层上表面制作反光层；(e)在所述反光层表面键合导电衬底作为第一电极；(f)去除所述蓝宝石衬底，在所述蓝光外延层与所述黄光外延层下表面分别制作第二电极与第三电极。本发明提供的基于GaN材料的垂直结构双色LED，可以在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；此外，该制备工艺相对简单，可行性高。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底 蓝光 蓝宝石 垂直结构 双色LED 黄光 制备 制作 荧光粉 反光层表面 第二电极 第三电极 第一电极 制备工艺 单芯片 反光层 上表面 下表面 导电 键合 去除 | ||
【主权项】：
一种基于GaN材料的垂直结构双色LED的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底上制作蓝光外延层；(c)在所述蓝光外延层中制作黄光外延层；(d)在所述蓝光外延层与所述黄光外延层上表面制作反光层；(e)在所述反光层表面键合导电衬底作为第一电极；(f)去除所述蓝宝石衬底，在所述蓝光外延层与所述黄光外延层下表面分别制作第二电极与第三电极。
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