[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711367935.3 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108063160A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、N型外延区、形成于N型外延区表面的第一、第二P型体区、位于第一P型体区表面的第一N型注入区、位于第二P型体区表面的第二N型注入区、位于N型外延区表面的第三N型注入区、贯穿第一N型注入区并延伸至第一P型体区的第一P型注入区、贯穿第二N型注入区并延伸至第二P型体区的第二P型注入区、依次形成于N型外延区、第一及第二P型体区、第一、第二N型注入区上的栅氧化层与多晶硅层、形成于多晶硅层上、第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿介质层且对应第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔、贯穿介质层且对应第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延区、形成于所述N型外延区表面的第一P型体区与第二P型体区、位于所述第一P型体区表面的第一N型注入区、位于所述第二P型体区表面的第二N型注入区、位于所述第一P型体区与所述第二P型体区之间的N型外延区表面的第三N型注入区、贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第一P型体区的第一P型注入区、贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二P型体区的第二P型注入区、依次形成于所述N型外延区、所述第一及第二P型体区、所述第一、第二N型注入区上的栅氧化层与多晶硅层、贯穿所述栅氧化层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与P型注入区的第一开口、贯穿所述栅氧化层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口、贯穿所述栅氧化层及多晶硅层且对应所述第三N型注入区的第三开口、形成于所述多晶硅层上、所述第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿所述介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔、贯穿所述介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。
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