[发明专利]硅基GaN蓝光LED外延材料制作垂直结构LED的工艺在审
| 申请号： | 201711351092.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108110112A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张勇 | 申请（专利权）人： | 佛山东燊金属制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 颜春艳 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区桂城街道平胜*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅基GaN蓝光LED外延材料制作垂直结构LED的工艺，包括如下步骤：(i)硅基GaN蓝光LED外延材料的P型面和新的Si衬底材料分别制作欧姆接触电极，之后分别蒸发Au作为压焊金属层；(ii)将外延片和新的衬底压焊在一起；(iii)用酸去除Si(111)生长衬底，然后用ICP刻蚀掉AlN缓冲层；(ⅳ)制作LED的n型欧姆接触电极；(ⅴ)划片和封装；所述硅基GaN蓝光LED外延材料是用生产型MOCVD系统在2英吋Si(111)衬底上生长的。 | ||
| 搜索关键词： | 外延材料 蓝光LED 硅基 衬底 垂直结构LED 制作 压焊 欧姆接触电极 衬底材料 生长 金属层 外延片 划片 去除 封装 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种硅基GaN蓝光LED外延材料制作垂直结构LED的工艺，其特征在于，包括如下步骤：(i)硅基GaN蓝光LED外延材料的P型面和新的Si衬底材料分别制作欧姆接触电极，之后分别蒸发Au作为压焊金属层；(ii)将外延片和新的衬底压焊在一起；(iii)用酸去除Si(111)生长衬底，然后用ICP刻蚀掉AlN缓冲层；(ⅳ)制作LED的n型欧姆接触电极；(ⅴ)划片和封装。
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