[发明专利]用于系统级封装的防静电装置

摘要

本发明涉及一种用于系统级封装的防静电装置，包括：Si衬底(101)、TSV区(102)、隔离区(103)、三极管(104)、互连线(105)、第一绝缘层(106)、第二绝缘层(107)和铜凸点(108)：其中，TSV区(102)、隔离区(103)及三极管(104)均设置于Si衬底(101)内；TSV区(102)设置于三极管(104)两侧；隔离区(103)设置于三极管(104)与TSV区(102)之间，用于在Si衬底(101)内对三极管(104)进行隔离；TSV区(102)内的材料为铜；第一绝缘层(106)和第二绝缘层(107)分别设置于Si衬底(101)上表面和下表面。本发明通过在防静电装置上设置三极管作为ESD防护器件形成系统级封装的防静电装置，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。

主权项

1.一种用于系统级封装的防静电装置，其特征在于，包括：Si衬底(101)、TSV区(102)、隔离区(103)、三极管(104)、互连线(105)、第一绝缘层(106)、第二绝缘层(107)和铜凸点(108)：其中，/n所述TSV区(102)、所述隔离区(103)及所述三极管(104)均设置于所述Si衬底(101)内；所述TSV区(102)设置于所述三极管(104)两侧；所述隔离区(103)设置于所述三极管(104)与所述TSV区(102)之间，用于在所述Si衬底(101)内对所述三极管(104)进行隔离；所述TSV区(102)内的材料为铜；所述TSV区(102)和所述隔离区(103)上下贯通所述Si衬底(101)；所述TSV区(102)和所述隔离区(103)的深度一致，所述深度大于80μm且小于等于120μm；/n所述第一绝缘层(106)和所述第二绝缘层(107)分别设置于所述Si衬底(101)上表面和下表面；所述互连线(105)设置于所述第一绝缘层(106)内，用于连接所述TSV区(102)的第一端面和所述三极管(104)；其中，所述互连线(105)为螺旋状的铜互连线；/n所述铜凸点(108)设置于所述TSV区(102)的第二端面上。/n