[发明专利]半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件中制造存储节点接触的方法及半导体器件，方法包括在半导体衬底中形成有源区、沟槽隔离结构、字线和位线，在位线之间形成接触窗，在接触窗内形成源极触点和间隔壁，去除部分源极触点以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。半导体器件包括半导体衬底上形成的有源区、沟槽隔离结构、字线和位线；位线之间设有接触窗，接触窗中设有源极触点和间隔壁；源极触点与间隔壁之间设有扩展区以使源极触点显露的端面面积大于间隔壁围成的面积，并形成存储节点接触。本发明通过增加源极触点显露端面的接触面积，使存储节点接触和源极触点的接合层接触面积最大化，提高半导体器件的导电性能。

主权项

一种半导体器件中制造存储节点接触的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区、隔离各所述有源区的沟槽隔离结构、多条字线，以及在所述半导体衬底上形成多条位线；形成位线隔离结构于所述半导体衬底上以覆盖所述位线；刻蚀所述位线隔离结构之间的所述有源区至露出所述有源区的源极区，以形成接触窗；形成源极触点于所述有源区在相邻所述字线之外的源极区上，并且所述源极触点形成于所述接触窗底部；形成间隔壁于所述位线隔离结构在所述接触窗内的侧壁上，在所述间隔壁下端面与所述源极触点之间形成扩展间隙，相邻所述间隔壁之间形成通道孔，所述扩展间隙与所述通道孔连通；形成存储节点接触于所述源极触点上，所述存储节点接触包括填充所述扩展间隙形成的扩展底部和形成于所述通道孔内的填孔部；其中，所述扩展底部与所述源极触点的接合面积不小于所述填孔部沿水平方向截取的截面积。