[发明专利]一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及光电探测技术领域，具体公开一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法。本发明的四象限光电探测器的由4个完全相同的上下表面都具有锥形微结构的PIN结构单元组成，PIN结构包括作为I型层的本征硅衬底，上表面具有锥形微结构的P型层，下表面具有锥形微结构的N型层；上下表面锥形微结构可以非常有效地提高PIN结构对近红外光的吸收，因而本发明所述的四象限光电探测器克服了传统硅探测器近红外响应弱的缺点，具有较高的近红外光电响应，满足激光定位、跟踪等众多领域对硅基近红外光电探测器件的需求。

主权项

一种近红外增强型硅基四象限光电探测器，其特征在于，包括：PIN结构单元，所述PIN结构单元包括I型层的本征硅衬底、P型层、P+层、N型层、前电极以及后电极；所述P型层位于所述本征硅衬底的前表面，所述P型层的前表面设有第一锥形微结构；所述P+层包围于所述P型层的外侧，所述P+层的厚度大于所述P型层的厚度，所述前电极设于所述P+层的前表面；所述N型层位于所述本征硅衬底的后表面，所述N型层的后表面设有第二锥形微结构，所述后电极设于所述N型层的后表面；四个所述PIN结构单元组成四象限光电探测器，四个所述PIN结构单元以直角坐标系排列分布。