[发明专利]硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件有效
申请号: | 201711240511.0 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108011000B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 张小宁;林媛媛;王耀功;刘凌光 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王霞 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件,属于薄膜发光器件领域。包括硅基及设置在硅基表面的凸起结构;所述凸起结构为三角棱型、不规则山丘型、嵌套金字塔型、米字金字塔型、四方体金字塔型和四棱锥金字塔型中的一种或几种;凸起结构在硅基表面的分布密度、底部尺寸及高度可调。本发明通过利用各向异性碱性溶液湿法腐蚀的方法,在硅基表面制备出不同形貌、密度、底部尺寸和/或高度的凸起。本发明通过利用这种具有凸起结构的硅基,使得基于MOS结构击穿形成导电通道发光的全光谱薄膜发光器件的发光强度增大,器件的发光效率提高。 | ||
搜索关键词: | 硅基 mos 薄膜 发光 器件 及其 制备 方法 光谱 | ||
【主权项】:
1.一种硅基MOS薄膜发光器件,其特征在于,包括硅基及设置在硅基表面的凸起结构;所述凸起结构为不规则山丘型、嵌套金字塔型、米字金字塔型、四方体金字塔型和四棱锥金字塔型中的一种或几种;凸起结构在硅基表面的分布密度、底部尺寸及高度可调。
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