[发明专利]肖特基势垒整流器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种肖特基势垒整流器及其制备方法，其方法包括如下步骤：在半导体层的表面沉积肖特基势垒层；在肖特基势垒层的表面沉积阻挡层；在阻挡层的表面沉积反向漏电流抑制层；在反向漏电流抑制层的表面形成第一电极层；在半导体层的背面形成第二电极层；其中，反向漏电流抑制层的功函数高于肖特基势垒层的功函数。其通过在肖特基势垒层上依次形成阻挡层和反向漏电流抑制层，从而通过调节肖特基势垒层与阻挡层的总厚度来实现肖特基势垒高度的调节。并且，其可在较大范围内实现功函数的连续调节。同时，阻挡层、反向漏电流抑制层和第一电极层均与传统工艺兼容，由此降低了生产难度，同时还降低了溅射靶材数量，实现了更高精度的功函数调整。

主权项

1.一种肖特基势垒整流器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体层的表面通过溅射Ti层形成肖特基势垒层；在所述肖特基势垒层的表面采用直接溅射工艺沉积形成阻挡层；在所述阻挡层的表面采用溅射镀膜工艺形成反向漏电流抑制层；在所述反向漏电流抑制层的表面形成第一电极层，第一电极层从下至上依次为Ti/Ni/Ag；在所述半导体层的背面形成第二电极层；其中，所述反向漏电流抑制层的功函数高于所述肖特基势垒层的功函数；其中，所述肖特基势垒层采用溅射工艺并经过快速退火沉积形成；且在形成所述肖特基势垒层时，退火温度为600℃～900℃；所述肖特基势垒层的成分是TiSi2；所述反向漏电流抑制层的成分是Al；所述阻挡层的成分是TiN；所述肖特基势垒层的厚度与所述阻挡层的厚度之和的取值范围为所述肖特基势垒层的厚度取值范围为所述反向漏电流抑制层的厚度取值范围为